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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海林眾電子科技有限公司申請的專利一種逆導(dǎo)型IGCT器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119866020B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510353151.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D18/65；該發(fā)明授權(quán)一種逆導(dǎo)型IGCT器件是由王天意;張慶雷;王波;楊翔宇;王宇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種逆導(dǎo)型IGCT器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種逆導(dǎo)型IGCT器件，N型第三摻雜區(qū)中設(shè)置摻雜濃度大于發(fā)射區(qū)的P型第四摻雜區(qū)，第四摻雜區(qū)中設(shè)置摻雜濃度大于第四摻雜區(qū)的P型第五摻雜區(qū)，當(dāng)門極換流晶閘管導(dǎo)通時，溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)控制溝道關(guān)斷，此時第四摻雜區(qū)和發(fā)射區(qū)被隔離開，不會影響快恢復(fù)二極管陽極的總摻雜濃度，保持較低的空穴抽取速度，以保證反向恢復(fù)過程具有更優(yōu)軟度，當(dāng)門極換流晶閘管關(guān)斷時，溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)控制溝道開啟，此時第四摻雜區(qū)和發(fā)射區(qū)聯(lián)通，小電流下第四摻雜區(qū)先參與到快恢復(fù)二極管導(dǎo)電，并隨著電流不斷提高，第五摻雜區(qū)也相繼參與導(dǎo)電，在不同的電流等級下不同程度的提高了快恢復(fù)二極管P發(fā)射極的摻雜濃度，提高快恢復(fù)二極管抗浪涌電流能力。

本發(fā)明授權(quán)一種逆導(dǎo)型IGCT器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種逆導(dǎo)型IGCT器件，所述逆導(dǎo)型IGCT器件劃分為GCT區(qū)域和FRD區(qū)域，其特征在于，所述逆導(dǎo)型IGCT器件包括： 第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)包括基區(qū)和發(fā)射區(qū)，所述基區(qū)位于所述GCT區(qū)域內(nèi)，所述發(fā)射區(qū)位于所述FRD區(qū)域內(nèi)； 第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，位于所述第一摻雜區(qū)下方，其中，一部分所述第二摻雜區(qū)位于所述GCT區(qū)域內(nèi)，一部分所述第二摻雜區(qū)位于所述FRD區(qū)域內(nèi)； 溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)，位于所述基區(qū)和所述發(fā)射區(qū)之間，所述溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)包括貫穿所述第一摻雜區(qū)并延伸至所述第二摻雜區(qū)中的凹槽，所述凹槽的側(cè)壁和底部設(shè)有柵介質(zhì)層，所述凹槽中填充有柵導(dǎo)電層； 第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，位于所述發(fā)射區(qū)中，所述第三摻雜區(qū)和所述溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸； 第一導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)，位于所述第三摻雜區(qū)中，所述第四摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，所述第四摻雜區(qū)和所述溝槽柵隔離結(jié)構(gòu)的側(cè)壁接觸； 第一導(dǎo)電類型的第五摻雜區(qū)，位于所述第四摻雜區(qū)中，所述第五摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第四摻雜區(qū)的摻雜濃度。

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