恭喜三星電子株式會社萊恩·M·海雀獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利權重單元和電子裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111580783B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010091274.1，技術領域涉及：G06F7/523；該發明授權權重單元和電子裝置是由萊恩·M·海雀;提塔許·瑞許特;喬治·凱特爾;雷維基·森古普塔;達爾門達·帕勒;洪俊顧設計研發完成，并于2020-02-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本權重單元和電子裝置在說明書摘要公布了：本發明公開一種權重單元和電子裝置。權重單元包含：第一場效應晶體管FET和第一電阻式存儲器元件，第一電阻式存儲器元件連接到第一場效應晶體管的漏極；以及第二場效應晶體管和第二電阻式存儲器元件，第二電阻式存儲器元件連接到第二場效應晶體管的漏極。第一場效應晶體管的漏極連接到第二場效應晶體管的柵極，且第二場效應晶體管的漏極連接到第一場效應晶體管的柵極。
本發明授權權重單元和電子裝置在權利要求書中公布了：1.一種權重單元，包括：第一場效應晶體管和第一電阻式存儲器元件，所述第一電阻式存儲器元件連接到所述第一場效應晶體管的漏極；以及第二場效應晶體管和第二電阻式存儲器元件，所述第二電阻式存儲器元件連接到所述第二場效應晶體管的漏極，其中所述第一場效應晶體管的所述漏極連接到所述第二場效應晶體管的柵極，且所述第二場效應晶體管的所述漏極連接到所述第一場效應晶體管的柵極，以及其中所述權重單元基于所述第一電阻式存儲器元件的電導和所述第二電阻式存儲器元件的電導來產生邏輯值。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市靈通區三星路129號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號