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龍圖騰網(wǎng)恭喜意法半導(dǎo)體(魯塞)公司申請的專利用于制造高電壓電容性元件的工藝和對應(yīng)的集成電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111668222B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202010146917.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B41/00；該發(fā)明授權(quán)用于制造高電壓電容性元件的工藝和對應(yīng)的集成電路是由A·馬扎基設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-05向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于制造高電壓電容性元件的工藝和對應(yīng)的集成電路在說明書摘要公布了：本文描述了用于制造高電壓電容性元件的工藝和對應(yīng)的集成電路。半導(dǎo)體襯底具有帶有第一電介質(zhì)區(qū)域的正面。電容性元件在正面處的第一電介質(zhì)區(qū)域的表面上包括層堆疊，該層堆疊包括第一導(dǎo)電區(qū)域、第二導(dǎo)電區(qū)域和第三導(dǎo)電區(qū)域。第二導(dǎo)電區(qū)域通過第二電介質(zhì)區(qū)域與第一導(dǎo)電區(qū)域電絕緣。第二導(dǎo)電區(qū)域進(jìn)一步通過第三電介質(zhì)區(qū)域與第三導(dǎo)電區(qū)域電絕緣。第一導(dǎo)電區(qū)域和第三導(dǎo)電區(qū)域形成電容性元件的一個(gè)板，并且第二導(dǎo)電區(qū)域形成電容性元件的另一板。

本發(fā)明授權(quán)用于制造高電壓電容性元件的工藝和對應(yīng)的集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括：半導(dǎo)體襯底，具有正面；淺槽隔離區(qū)域，在所述半導(dǎo)體襯底中；第一晶體管，由所述半導(dǎo)體襯底支撐；第二晶體管，由所述半導(dǎo)體襯底支撐，電容性元件，在所述淺槽隔離區(qū)域的頂部上：其中所述電容性元件包括第一導(dǎo)電區(qū)域、第二導(dǎo)電區(qū)域和第三導(dǎo)電區(qū)域，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域與所述淺槽隔離區(qū)域的上表面接觸并且形成所述電容性元件的第一電極，所述第二導(dǎo)電區(qū)域形成所述電容性元件的第二電極，并且所述第三導(dǎo)電區(qū)域形成所述電容性元件的第三電極；其中所述第一晶體管包括延伸到所述半導(dǎo)體襯底中的垂直導(dǎo)電柵極；其中所述第二晶體管包括柵極，所述柵極包括在所述半導(dǎo)體襯底之上延伸的浮動(dòng)?xùn)艠O和控制柵極；第一電介質(zhì)層，在所述電容性元件的所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第二導(dǎo)電區(qū)域之間形成絕緣層，并且進(jìn)一步在所述浮動(dòng)?xùn)艠O和所述半導(dǎo)體襯底之間形成絕緣層；第二電介質(zhì)層，在所述電容性元件的所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第三導(dǎo)電區(qū)域之間形成絕緣層，并且進(jìn)一步在所述控制柵極和所述浮動(dòng)?xùn)艠O之間形成絕緣層；其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述控制柵極由公共導(dǎo)電層形成；其中所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述浮動(dòng)?xùn)艠O由公共導(dǎo)電層形成；以及其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述垂直導(dǎo)電柵極由公共導(dǎo)電層形成。

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