恭喜三菱電機株式會社川添智香獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜三菱電機株式會社申請的專利半導體裝置的制造方法、半導體裝置以及電力轉換裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114762093B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080083528.3，技術領域涉及：H01L21/56；該發明授權半導體裝置的制造方法、半導體裝置以及電力轉換裝置是由川添智香;藤野純司;北川達哉;村田大輔;梶勇輔設計研發完成，并于2020-12-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的制造方法、半導體裝置以及電力轉換裝置在說明書摘要公布了：在陶瓷基板5搭載半導體元件19。將搭載了半導體元件19的陶瓷基板5收容在殼體13內。使硅烷偶聯劑的溶液流入殼體13內。除去殼體13內的溶液。對在使溶液流入殼體13內的工序中附著于半導體元件19等的溶液施加處理，從而在半導體元件19等的表面形成底涂劑層35。通過在殼體13內填充密封材料37，對形成有底涂劑層35的半導體元件19等進行密封。
本發明授權半導體裝置的制造方法、半導體裝置以及電力轉換裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置的半導體元件由密封材料密封，其中，具備：形成要由所述密封材料密封的、包括所述半導體元件的被密封構件的工序；將所述被密封構件收容在殼體內的工序；使硅烷偶聯劑的溶液流入所述殼體內的工序；除去所述殼體內的所述溶液的工序；對在使所述溶液流入所述殼體內的工序中附著于所述被密封構件的所述溶液施加處理，從而在所述被密封構件的表面形成底涂劑層的工序；以及通過在所述殼體內填充密封材料，對形成有所述底涂劑層的所述被密封構件進行密封的工序，形成所述底涂劑層的工序包括在所述半導體元件的表面形成所述底涂劑層的工序。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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