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龍圖騰網(wǎng)恭喜華邦電子股份有限公司申請的專利存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114665009B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011528044.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/00；該發(fā)明授權(quán)存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法是由許博硯;吳伯倫;郭澤綿;張維哲;張碩哲設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-12-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述存儲器結(jié)構(gòu)包含基底、電性通道層、第一電極、電阻轉(zhuǎn)態(tài)層、第二電極和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。電性通道層設(shè)置于基底上。第一電極設(shè)置于基底上并延伸至電性通道層中。電阻轉(zhuǎn)態(tài)層設(shè)置于第一電極與電性通道層之間。第二電極設(shè)置于電性通道層上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)連接電性通道層和第二電極。本申請可以增加導(dǎo)電絲數(shù)量，進而改善數(shù)據(jù)保存，而不需要增加電阻轉(zhuǎn)態(tài)層的厚度。

本發(fā)明授權(quán)存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一基底；一電性通道層，設(shè)置于所述基底上；一第一電極，設(shè)置于所述基底上并延伸至所述電性通道層中；一電阻轉(zhuǎn)態(tài)層，設(shè)置于所述第一電極與所述電性通道層之間；一第二電極，設(shè)置于所述電性通道層上；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，連接所述電性通道層和所述第二電極，其中，在所述存儲器結(jié)構(gòu)的上視圖中，所述電性通道層的延伸方向和所述第二電極的延伸方向彼此平行，并且所述第二電極在所述基底上的正投影完全覆蓋所述電性通道層在所述基底上的正投影。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人華邦電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣臺中市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。