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龍圖騰網恭喜中科南京智能技術研究院申請的專利一種單比特差分SRAM存算一體陣列及裝置獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114627930B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210277264.6，技術領域涉及：G11C11/41；該發(fā)明授權一種單比特差分SRAM存算一體陣列及裝置是由喬樹山;史萬武;尚德龍;周玉梅設計研發(fā)完成，并于2022-03-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種單比特差分SRAM存算一體陣列及裝置在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種單比特差分SRAM存算一體陣列及裝置，陣列包括：多個存算一體單元、第一電容和第二電容；各存算一體單元均包括：6T?SRAM存儲單元、第一反相器、第二反相器、晶體管TL3和晶體管TR3；第一反相器分別與存儲單元和TL3的漏極連接，TL3的柵極用于輸入數據IN，TL3的源極與第一電容的一端連接，第一電容的另一端接地；第二反相器分別與存儲單元和TR3的漏極連接，TR3的柵極用于輸入數據IN，TR3的源極與第二電容的一端連接，第二電容的另一端接地。本發(fā)明存算一體陣列在計算過程中對一整列存算一體單元同時計算，對權重值無影響，此解耦合操作完全消除了讀寫干擾。

本發(fā)明授權一種單比特差分SRAM存算一體陣列及裝置在權利要求書中公布了：1.一種單比特差分SRAM存算一體陣列，其特征在于，所述陣列包括：M個存算一體單元、第一電容和第二電容，其中，M為大于或等于1的正整數；各所述存算一體單元均包括：6T-SRAM存儲單元、第一反相器、第二反相器、晶體管TL3和晶體管TR3；第一反相器的輸入端與6T-SRAM存儲單元的Q點連接，第一反相器的輸出端與晶體管TL3的漏極連接，晶體管TL3的柵極用于輸入數據IN，晶體管TL3的源極與第一電容的一端連接，所述第一電容的另一端接地；第二反相器的輸入端與6T-SRAM存儲單元的QB點連接，第二反相器的輸出端與晶體管TR3的漏極連接，晶體管TR3的柵極用于輸入數據IN，晶體管TR3的源極與第二電容的一端連接，所述第二電容的另一端接地；差分的權重值分別存儲于Q點和QB點；所述陣列還包括：差分量化器，分別與第一電容的一端和第二電容的一端連接，用于輸出電壓差。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中科南京智能技術研究院，其通訊地址為：211100 江蘇省南京市江寧區(qū)創(chuàng)研路266號麒麟人工智能產業(yè)園1號樓5層；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。