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龍圖騰網恭喜華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利SOI LDMOS器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115084267B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-10發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210514663.X，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權SOI LDMOS器件及其制造方法是由陳天;張紅林;肖莉;王黎;陳華倫設計研發完成，并于2022-05-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本SOI LDMOS器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種SOILDMOS器件形成于混合襯底上。包括SOI區和非隔離區，非隔離區為沒有介質埋層的半導體襯底。柵極結構、溝道區和源區形成于半導體襯底中，漏區形成于SOI襯底的半導體頂層中。柵極結構采用穿過溝道區的溝槽柵。源區形成于溝道區的表面并和溝槽柵自對準。漂移區形成于溝道區到漏區之間，由形成于半導體頂層中第一漂移子區和形成于半導體襯底中的第二漂移子區組成，第二漂移子區的結深大于述第一漂移子區的結深，使導通電流路徑擴展并從而降低導通電阻。本發明還公開了一種SOILDMOS器件的制造方法。本發明能使導通電流路徑得到擴展，從而能降低導通電阻；還能提升電流密度并進一步降低導通電阻。

本發明授權SOI LDMOS器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種SOILDMOS器件，其特征在于：SOILDMOS器件形成于混合襯底上；所述混合襯底包括SOI區和非隔離區，所述SOI區中具有SOI襯底，所述SOI襯底由半導體主體層，介質埋層和半導體頂層疊加而成，所述介質埋層形成于所述半導體主體層表面，所述半導體頂層形成于所述介質埋層表面；所述非隔離區具有由所述半導體主體層和半導體外延層直接疊加形成半導體襯底，所述非隔離區中的所述半導體頂層和所述介質埋層被去除以及所述半導體外延層和所述半導體主體層直接接觸；所述SOILDMOS器件的柵極結構、溝道區和源區形成于所述半導體襯底中，漏區形成于所述半導體頂層中，所述源區和所述漏區都具有第一導電類型重摻雜；所述溝道區由第二導電類型摻雜的阱區組成；所述柵極結構采用溝槽柵，所述溝槽柵穿過所述溝道區；所述源區形成于所述溝道區的表面并和所述溝槽柵自對準；漂移區形成于所述溝道區到所述漏區之間，所述漂移區由第一漂移子區和第二漂移子區組成，所述第一漂移子區由形成于所述半導體頂層中的第一導電類型摻雜區組成；所述第二漂移子區由形成于所述半導體襯底中的第一導電類型摻雜區組成，所述第二漂移子區的結深大于所述第一漂移子區的結深，使導通電流路徑擴展并從而降低導通電阻。

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