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龍圖騰網(wǎng)恭喜江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種綠光發(fā)光二極管的外延片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114824002B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-06-10發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210536830.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/812；該發(fā)明授權(quán)一種綠光發(fā)光二極管的外延片及其制備方法是由張彩霞;程金連;印從飛;胡加輝;金從龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-05-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種綠光發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種綠光發(fā)光二極管的外延片及其制備方法，綠光發(fā)光二極管的外延片，包括多量子阱層，還包括多量子阱準(zhǔn)備層，多量子阱層生長于多量子阱準(zhǔn)備層之上，多量子阱準(zhǔn)備層包括依次外延生長的AlGaN層、InAlGaN層、InGaN層和InN層，多量子阱層生長于InN層之上。本發(fā)明通過在多量子阱之前先生長一層特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的多量子阱準(zhǔn)備層，成功減少了量子阱中缺陷，并使得底層與量子阱的晶格更加匹配，釋放了綠光多量子阱層的應(yīng)力，而且提供了富In環(huán)境，增加了綠光In組分的并入，減少了量子阱內(nèi)的極化效應(yīng)，從而減少了In的團(tuán)簇現(xiàn)象，使得In組分分布更均勻，發(fā)光區(qū)域更均勻，最終使發(fā)光波長均勻性得到顯著提升。

本發(fā)明授權(quán)一種綠光發(fā)光二極管的外延片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種綠光發(fā)光二極管的外延片，包括多量子阱層，其特征在于，還包括多量子阱準(zhǔn)備層，所述多量子阱層生長于所述多量子阱準(zhǔn)備層之上，所述多量子阱準(zhǔn)備層包括依次外延生長的AlGaN層、InAlGaN層、InGaN層和InN層，所述多量子阱層生長于所述InN層之上；其中，所述AlGaN層的生長溫度大于所述InGaN層的生長溫度，并且所述AlGaN層與所述InGaN層的生長溫度差位于100-230℃之間，所述InAlGaN層的生長溫度由所述AlGaN層的生長溫度漸變降低至所述InGaN層的生長溫度，所述InGaN層和所述InN層的生長溫度相等。

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