恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司王俊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司申請的專利半導體光子晶體發光結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119581993B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510134531.8，技術領域涉及：H01S5/028；該發明授權半導體光子晶體發光結構及其制備方法是由王俊;羅晨;肖垚;李順峰;李劉晶;李泉靈;閔大勇;鄧國亮;周昊設計研發完成，并于2025-02-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體光子晶體發光結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體光子晶體發光結構及其制備方法，半導體光子晶體發光結構包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層一側的有源層；位于所述有源層背離所述半導體襯底層一側的光子晶體層，所述光子晶體層包括第一半導體層、第二半導體層和保護層，所述第一半導體層中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面延伸至所述第一半導體層中，所述保護層位于所述凹槽的內壁表面，所述第二半導體層位于相鄰的凹槽之間的所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面且未延伸至所述凹槽中。半導體光子晶體發光結構的光場模式調控能力提高。
本發明授權半導體光子晶體發光結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體光子晶體發光結構，其特征在于，包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層一側的有源層；位于所述有源層背離所述半導體襯底層一側的光子晶體層，所述光子晶體層包括第一半導體層、第二半導體層和鈍化保護層，所述第一半導體層中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面延伸至所述第一半導體層中，所述鈍化保護層位于所述凹槽的內壁，所述第二半導體層位于相鄰的凹槽之間的所述第一半導體層背離所述有源層的一側表面且未延伸至所述凹槽中；還包括位于所述凹槽內壁的半導體保護層，其中，所述鈍化保護層位于所述半導體保護層背離第一半導體層的一側。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司，其通訊地址為：215163 江蘇省蘇州市高新區漓江路56號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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