恭喜北京懷柔實驗室魏曉光獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利電壓控制型晶閘管以及電壓控制型晶閘管的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119922926B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-06-03發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510372589.6，技術領域涉及：H10D18/00；該發明授權電壓控制型晶閘管以及電壓控制型晶閘管的制備方法是由魏曉光;李立;王耀華;劉瑞;李玲;唐新靈;高明超;焦倩倩設計研發完成，并于2025-03-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本電壓控制型晶閘管以及電壓控制型晶閘管的制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，公開了一種電壓控制型晶閘管以及電壓控制型晶閘管的制備方法，所述電壓控制型晶閘管包括：從陽極到陰極依次排列的P型發射區、N型漂移區、第一P阱區與第二P阱區、以及N+型發射區，其中，所述第二P阱區位于所述第一P阱區的端部，所述第二P阱區的摻雜濃度大于所述第一P阱區的摻雜濃度。本發明通過引入第二P阱區使晶閘管的閾值電壓和導通特性解耦，即，器件的閾值電壓主要由第二P阱區的摻雜濃度調控，且導通特性取決于第一P阱區的摻雜濃度。
本發明授權電壓控制型晶閘管以及電壓控制型晶閘管的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種電壓控制型晶閘管，其特征在于，所述電壓控制型晶閘管包括：從陽極到陰極依次排列的P型發射區、N型漂移區、第一P阱區與第二P阱區、以及N+型發射區，其中，所述第二P阱區位于所述第一P阱區的端部，所述第二P阱區的摻雜濃度大于所述第一P阱區的摻雜濃度，所述第一P阱區的摻雜濃度低于預設摻雜濃度，所述第一P阱區的摻雜濃度峰值為1E17-3E17cm-3，所述第二P阱區的摻雜濃度峰值為2E17-5E17cm-3，所述第一P阱區的結深為3-8μm，所述第二P阱區的結深為0.2-2μm，所述電壓控制型晶閘管為MOS控制型晶閘管，所述MOS控制型晶閘管還包括：N型發射區，位于所述N+型發射區的兩側；以及P型陰極區，位于所述N型發射區與所述N+型發射區的交界區域的上部且與所述MOS控制型晶閘管的柵極和陰極兩者接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101499 北京市懷柔區楊雁東一路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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