恭喜意法半導體(圖爾)公司S·蒙納德獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜意法半導體(圖爾)公司申請的專利保護以防過熱的功率部件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113206077B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110466028.4，技術領域涉及：H10D89/60；該發明授權保護以防過熱的功率部件是由S·蒙納德設計研發完成，并于2016-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本保護以防過熱的功率部件在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及保護以防過熱的功率部件。三端雙向可控硅開關具有從硅襯底形成的豎直結構，硅襯底具有上側表面。上側表面上的主涂敷金屬的第一部分置于被形成在第二傳導類型的層中的第一傳導類型的第一區域上。主涂敷金屬的第二部分置于上述層的部分上。上側表面上的柵極涂敷金屬置于在第一區域的附近形成在上述層中的第一傳導類型的第二區域上。在上側表面上形成在上述層中的多孔硅棒具有與柵極涂敷金屬接觸的第一端以及與主涂敷金屬接觸的第二端。
本發明授權保護以防過熱的功率部件在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括：硅襯底，具有上表面側和下表面側，并且包括層的堆疊，所述層的堆疊包括：摻雜有第一傳導類型的第一層、摻雜有第二傳導類型的第二層、以及摻雜有所述第一傳導類型的第三層；第一金屬化層，在所述上表面側上，并且具有第一部分，所述第一部分置于所述第二傳導類型的第一摻雜區域上，所述第一摻雜區域被形成在所述第三層中；柵極金屬化層，在所述上表面側上，并且置于所述第二傳導類型的第二摻雜區域上，所述第二摻雜區域被形成在所述第三層中；多孔硅棒，被形成在所述第三層中，其中所述多孔硅棒的第一端與所述第一摻雜區域和所述第一金屬化層接觸，并且其中所述多孔硅棒的第二端與所述第二摻雜區域和所述柵極金屬化層接觸；以及第二金屬化層，在所述下表面側上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體(圖爾)公司，其通訊地址為：法國圖爾；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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