恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司吳政達獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請的專利天線封裝結構及封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112713098B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201911021331.2,技術領域涉及:H01L21/56;該發明授權天線封裝結構及封裝方法是由吳政達;陳彥亨;林正忠;薛亞媛;徐罕設計研發完成,并于2019-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本天線封裝結構及封裝方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種天線封裝結構及封裝方法,封裝方法包括:提供支撐基底,形成重新布線層、第一天線層、第一金屬饋線柱、第一封裝層、第二天線層、第二金屬饋線柱、第二封裝層、第三天線層、半導體芯片、金屬凸塊及第三封裝層。本發明基于第三封裝層對半導體芯片進行保護,將芯片和金屬凸塊同時封裝,可有效提高封裝結構的穩定性,先在封裝層中開孔再形成金屬凸塊,簡化工藝,有利于金屬凸塊的制備,通過多層金屬饋線柱及多層封裝層形成多層天線結構,減小封裝尺寸,增強接收信號能力,擴大接收信號頻寬,形成底部填充層,提高封裝穩定性,增加圍壩點膠工藝,提高芯片的穩定性,對芯片進行雙重保護,并可以有效減少封裝工藝流程,提高工藝周期。
本發明授權天線封裝結構及封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種天線封裝方法,其特征在于,所述封裝方法包括步驟:提供支撐基底,于所述支撐基底上形成臨時鍵合層;于所述臨時鍵合層上形成重新布線層,所述重新布線層包括與所述臨時鍵合層連接的第一面以及與所述第一面相對的第二面;于所述第二面上形成與所述重新布線層電連接的第一天線層;于所述第一天線層上形成與所述第一天線層電連接的第一金屬饋線柱;采用第一封裝層封裝所述第一金屬饋線柱,并使所述第一封裝層顯露所述第一金屬饋線柱的頂面;于所述第一封裝層上形成與所述第一金屬饋線柱電連接的第二天線層;于所述第二天線層上形成與所述第二天線層電連接的第二金屬饋線柱;采用第二封裝層封裝所述第二金屬饋線柱,并使所述第二封裝層顯露所述第二金屬饋線柱的頂面;于所述第二封裝層上形成與所述第二金屬饋線柱電連接的第三天線層;基于所述臨時鍵合層剝離所述重新布線層及所述支撐基底,露出所述重新布線層的所述第一面,自所述第一面在所述重新布線層中形成第一開口,并于所述第一面上形成至少一個與所述重新布線層電連接的半導體芯片;采用第三封裝層封裝所述半導體芯片,所述第三封裝層形成于所述第一面表面;于所述第三封裝層中形成與所述第一開口連通的第二開口,所述第一開口及所述第二開口構成引出孔,并于所述引出孔中形成與所述重新布線層電連接的金屬凸塊。
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