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龍圖騰網(wǎng)恭喜杭州廣立微電子股份有限公司申請的專利應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN111029329B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-30發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201911302962.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/544；該發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)及方法是由張飛虎;陸梅君;楊慎知設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種應(yīng)用于FinFET工藝中，利用電性測試來有效監(jiān)控EPI大小的測試結(jié)構(gòu)，該測試結(jié)構(gòu)包括FinFET中至少兩根依次相鄰的鰭Fin，第一根鰭和或最后一根鰭上取兩個連接點(diǎn)以連接到各自的焊盤；所述鰭上橫跨有至少兩根依次相鄰的柵極GT，對于處于中間的每根柵極，在第一根鰭或者最后一根鰭上分別設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)，所述連接結(jié)構(gòu)用于連接該鰭上被該柵極隔斷的兩側(cè)，以形成蛇形線的應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試方法，其特征在于，具體包括下述步驟：步驟1：設(shè)置測試組；設(shè)FinFET中相鄰的鰭Fin之間距離為Dist，每個鰭的寬度為Width，設(shè)FinPitch＝Dist+Width；設(shè)置若干個測試組，并使相鄰的測試組FinPitch的取值差值為預(yù)設(shè)的增值K；步驟2：EPI生長；將所有測試組在相同的環(huán)境下生長EPI；步驟3：測試；對于每個測試組，利用應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)，并通過焊盤連接到電壓源和電流采集單元構(gòu)成測試通路，在電壓源提供電壓V的條件下，利用電流采集單元測得每個測試組的電流I；步驟4：計算；利用公式計算得到每個測試組的電阻值，比較各測試組的電阻值，若某測試組的電壓值出現(xiàn)跳變時，則該測試組的FinPitch值即為生長的EPI的大?。凰鰬?yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)，包括FinFET中至少兩根依次相鄰的鰭Fin，第一根鰭和或最后一根鰭上取兩個連接點(diǎn)以連接到各自的焊盤；所述鰭上橫跨有至少兩根依次相鄰的柵極GT，對于處于中間的每根柵極，在第一根鰭或者最后一根鰭上分別設(shè)置有連接結(jié)構(gòu)，所述連接結(jié)構(gòu)用于連接該鰭上被該柵極隔斷的兩側(cè)，以形成蛇形線的應(yīng)用于FinFET工藝中監(jiān)控EPI的測試結(jié)構(gòu)。

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