恭喜深圳市鵬芯微集成電路制造有限公司顏天才獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳市鵬芯微集成電路制造有限公司申請的專利一種半導體結構及其制備方法、以及電子元器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114724951B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110015880.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種半導體結構及其制備方法、以及電子元器件是由顏天才設計研發完成，并于2021-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體結構及其制備方法、以及電子元器件在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體結構及其制備方法、以及電子元器件，所述半導體結構的制備方法包括以下步驟：提供一基材，所述基材上設有多個間隔設置的柵極結構，相鄰兩個所述柵極結構之間形成有溝槽，所述柵極結構包括柵極，所述柵極上方設有掩膜層；在所述基材上設置填充所述溝槽并覆蓋所述掩膜層的填充層；去除所述柵極上方的掩膜層以及部分填充層，以暴露所述柵極結構；在所述柵極結構上裁剪形成圖案開口，再去除所述溝槽內的填充層；在所形成有圖案開口的所述基材上形成層間介電質層，然后平坦化，以暴露所述柵極結構，制得半導體結構。本發明采用先蝕刻后沉積的方式，使得在所述層間介電質在設置時的間隙縱橫比較低，從而降低層間介電質層的填充難度。
本發明授權一種半導體結構及其制備方法、以及電子元器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一基材，所述基材上設有多個間隔設置的柵極結構，相鄰兩個所述柵極結構之間形成有溝槽，所述柵極結構包括柵極，所述柵極上方設有掩膜層；在所述基材上設置填充所述溝槽并覆蓋所述掩膜層的填充層；去除所述柵極上方的掩膜層以及部分填充層，以暴露所述柵極結構；在所述柵極結構上裁剪形成圖案開口，再去除所述溝槽內的填充層；在所形成有圖案開口的所述基材上形成層間介電質層，然后平坦化，以暴露所述柵極結構，制得半導體結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市鵬芯微集成電路制造有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍崗區平湖街道山廈社區中環大道中科谷產業園D棟101；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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