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龍圖騰網恭喜株式會社迪思科申請的專利晶片生成方法和晶片生成裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113231906B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110052917.6，技術領域涉及：B24B7/22；該發明授權晶片生成方法和晶片生成裝置是由能丸圭司設計研發完成，并于2021-01-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶片生成方法和晶片生成裝置在說明書摘要公布了：本發明提供晶片生成方法和晶片生成裝置，能夠在不一一檢測錠的上表面的高度的情況下生成應生成的厚度的晶片。晶片生成方法從半導體錠生成晶片，該晶片生成方法包含如下的工序：熱應力波生成工序，向卡盤工作臺所保持的半導體錠的上表面照射對于錠具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，并使該熱應力波在錠的內部傳播；以及破碎層形成工序，按照在該熱應力波生成工序中生成的熱應力波以與錠的材質對應的音速在內部傳播而到達相當于應生成的晶片的厚度的位置的時間，從錠的上表面照射對于錠具有透過性的波長的脈沖激光光線，在由于該熱應力波的拉伸應力而使帶隙變窄的區域中產生具有透過性的波長的脈沖激光光線的吸收，從而形成破碎層。

本發明授權晶片生成方法和晶片生成裝置在權利要求書中公布了：1.一種晶片生成方法，從半導體錠生成晶片，其中，該晶片生成方法具有如下的工序：保持工序，將半導體錠保持于卡盤工作臺；熱應力波生成工序，向該卡盤工作臺所保持的該半導體錠的上表面照射對于該半導體錠具有吸收性的波長的脈沖激光光線而生成熱應力波，并使該熱應力波在該半導體錠的內部傳播；破碎層形成工序，按照在該熱應力波生成工序中生成的熱應力波以與該半導體錠的材質對應的音速在內部傳播而到達相當于應生成的晶片的厚度的位置的時間，從該半導體錠的上表面照射對于該半導體錠具有透過性的波長的脈沖激光光線，在由于該熱應力波的拉伸應力而使帶隙變窄的區域中產生具有透過性的波長的該脈沖激光光線的吸收，從而形成破碎層；以及剝離工序，以該破碎層為起點將應生成的晶片從該半導體錠剝離。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社迪思科，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。