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龍圖騰網恭喜中國科學技術大學;合肥國家實驗室申請的專利非晶介質薄膜的制備方法、非晶介質薄膜及應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119663212B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510179671.7，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權非晶介質薄膜的制備方法、非晶介質薄膜及應用是由王萌;鄒小路;鐘東勳;霍永恒;潘建偉設計研發完成，并于2025-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本非晶介質薄膜的制備方法、非晶介質薄膜及應用在說明書摘要公布了：一種非晶介質薄膜的制備方法、非晶介質薄膜及應用，涉及光學鍍膜領域，該非晶介質薄膜的制備方法包括：提供一個襯底，以氬氣作為工作氣體，以氧氣作為反應氣體，采用反應磁控濺射的方法在襯底表面上交替重復生長第一非晶介質層和第二非晶介質層，得到非晶介質薄膜；第一非晶介質層和第二非晶介質層的材料不同，在第一非晶介質層和第二非晶介質層的生長過程中，利用輔助離子源對襯底周圍的氬氣進行電離，并使電離得到的氬等離子體轟擊襯底表面；其中，第一非晶介質層和第二非晶介質層采用間歇式生長的方式，間歇式生長的方式包括在完成預設層數的生長后，暫停預設時間段，并在暫停后繼續生長，在預設時間段內，輔助離子源為關閉狀態。

本發明授權非晶介質薄膜的制備方法、非晶介質薄膜及應用在權利要求書中公布了：1.一種非晶介質薄膜的制備方法，其特征在于，包括：提供一個襯底；以氬氣作為工作氣體，以氧氣作為反應氣體，采用反應磁控濺射的方法在所述襯底表面上交替重復生長第一非晶介質層和第二非晶介質層，得到非晶介質薄膜；所述第一非晶介質層和所述第二非晶介質層的材料不同，在所述第一非晶介質層和所述第二非晶介質層的生長過程中，利用輔助離子源對所述襯底周圍的氬氣進行電離，并使電離得到的氬等離子體轟擊所述襯底表面；所述第一非晶介質層為氧化鉭層，所述第二非晶介質層為氧化硅層；其中，所述第一非晶介質層和所述第二非晶介質層采用間歇式生長的方式，所述間歇式生長的方式包括在完成預設層數的生長后，暫停預設時間段，并在暫停后繼續生長，在所述預設時間段內，所述輔助離子源為關閉狀態；在完成預設層數的生長后，暫停預設時間段，包括：以生長一層所述第一非晶介質層和一層所述第二非晶介質層為一生長周期，在完成預設數量的生長周期的生長后，暫停預設時間段。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學技術大學;合肥國家實驗室，其通訊地址為：230026 安徽省合肥市包河區金寨路96號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。