恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司林毓超獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成晶片和形成集成晶片的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111640860B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910512108.1，技術領域涉及：H10N70/20；該發明授權集成晶片和形成集成晶片的方法是由林毓超;陳瑞銘;余紹銘;李東穎;陳佑昇設計研發完成，并于2019-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成晶片和形成集成晶片的方法在說明書摘要公布了：在一些實施方式中，本揭示內容關于一種集成晶片，其包括設置在底部電極之上的相變材料，并且相變材料配置為當溫度變化時從晶質結構變為非晶質結構。頂部電極設置在相變材料的上表面之上。硬遮罩在該頂部電極上方。通孔電性接觸頂部電極的頂表面。此外，相變材料的上表面的最大寬度小于相變材料的底表面的最大寬度。其中硬遮罩的底表面直接地接觸頂部電極的頂表面，并且其中硬遮罩的底表面窄于頂部電極的頂表面。
本發明授權集成晶片和形成集成晶片的方法在權利要求書中公布了：1.一種集成晶片，其特征在于，包含：一相變材料，設置在一底部電極之上并配置為當溫度變化時從晶質結構變為非晶質結構；一頂部電極，設置在該相變材料的一上表面之上；一硬遮罩，在該頂部電極上方；一通孔，電性接觸該頂部電極的一頂表面；以及一聚合物涂層，在該相變材料的一外側壁上、在該頂部電極的一外側壁上、和在該硬遮罩層的一外側壁和該頂表面上，其中該聚合物涂層的厚度不大于3納米；其中，該相變材料的該上表面的一最大寬度小于該相變材料的一底表面的一最大寬度，其中該硬遮罩的一底表面直接地接觸該頂部電極的該頂表面；和其中該硬遮罩的該底表面窄于該頂部電極的該頂表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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