恭喜華中科技大學劉世元獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華中科技大學申請的專利一種適用于光學散射測量的特征選擇方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN111553064B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010319290.1,技術領域涉及:G06F18/2111;該發明授權一種適用于光學散射測量的特征選擇方法是由劉世元;李曠逸;石雅婷;陳修國;王鵬設計研發完成,并于2020-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種適用于光學散射測量的特征選擇方法在說明書摘要公布了:本發明屬于光學散射測量相關技術領域,其公開了一種適用于光學散射測量的特征選擇方法,所述方法包括以下步驟:1根據半導體工藝確定待測結構的納米結構形貌、待測關鍵尺寸及材料光學常數;2構建待測結構的納米結構正向光學特性模型;3劃分稀疏網格XS,并計算稀疏網格中所有離散點對應的全光學特征組合fa,繼而構成稀疏光學特征庫ΩS;4基于過濾式特征選擇算法自所述全光學特征組合fa中獲得候選特征組合fc;5基于包裹式特征選擇算法,從候選特征組合fc中對庫匹配方法中的評價函數所使用的特征組合進一步提煉,以得到最終的優化特征組合f*。本發明縮短了庫匹配方法中離線建庫的時間,提高了參數提取準確度。
本發明授權一種適用于光學散射測量的特征選擇方法在權利要求書中公布了:1.一種適用于光學散射測量的特征選擇方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:1根據半導體工藝確定待測結構的納米結構形貌、待測關鍵尺寸及材料光學常數;待測關鍵尺寸的數量為3;2通過解析或者數值建模構建待測結構的納米結構正向光學特性模型;3在納米結構待測關鍵尺寸參數的浮動范圍劃分稀疏網格XS,并計算稀疏網格中所有離散點對應的全光學特征組合fa,繼而構成稀疏光學特征庫ΩS;4基于過濾式特征選擇算法以設定的特征組合評價指標自所述全光學特征組合fa中獲得候選特征組合fc;5基于包裹式特征選擇算法,以隨機例的庫匹配參數提取準確度為評價指標,從候選特征組合fc中對庫匹配方法中的評價函數所使用的特征組合進一步提煉,以得到最終的優化特征組合f*;所述過濾式特征選擇算法為順序向前特征選擇算法,評價指標為基于互信息的最大相關最小冗余,評價指標表達式為:mRMR=Rel-Red;其中:mRMR為評價指標,Rel為最大相關,Red為最小冗余; 其中:|f|表示全光學特征組合fa中的特征總數,fi和fj為全光學特征組合fa中不同的特征,xm為關鍵尺寸,IRelfi,xm為fi與xm之間的互信息,IRedfi,fj為fi與fj之間的互信息;步驟5中,包裹式特征選擇算法為遺傳算法,在稀疏網格XS范圍內,30次隨機選取x得到參數值xr,構成集合XR,x表示待測關鍵尺寸;通過嚴格耦合波分析RCWA計算得到XR中每一關鍵尺寸xr對應的fc,庫匹配中的評價函數為RMSE,特征組合f′c,f′c∈fc的參數提取準確度Ef′c表達式為: 其中:||·||表示向量別的2-范數,r為隨機里的序號,xr為第r個隨機例的關鍵尺寸信息,表示通過特征組合f′c計算RMSE時對xr求得的參數提取值,kc表示f′c中光學特征的序號,KC表示f′c中的光學特征總數,表示kc的測量標準差,y′c表示xr的特征組合f′c。
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