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龍圖騰網(wǎng)恭喜江蘇吉萊微電子股份有限公司;成都吉萊芯科技有限公司申請(qǐng)的專利超低壓觸發(fā)器件及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111710674B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010602937.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)超低壓觸發(fā)器件及其制作方法是由楊玨琳;宋文龍;李澤宏;張鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本超低壓觸發(fā)器件及其制作方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：超低壓觸發(fā)器件，包括從下到上依次為背面金屬電極、P+襯底層、N型外延層、絕緣介質(zhì)層、正面金屬層，N型外延層端面一邊到另一邊依次設(shè)P+隔離層、N+多晶硅和P型基區(qū)；P+隔離層穿通至P+襯底層；N+多晶硅、P型基區(qū)兩個(gè)區(qū)域中均設(shè)P+源區(qū)、N+源區(qū)。超低壓觸發(fā)器件的制作方法，包括如下步驟：淀積N型外延層；高溫推進(jìn)形成P+隔離層；淀積N+多晶硅，露出N型外延層；推結(jié)形成P型基區(qū)；在N+多晶硅、P型基區(qū)區(qū)域中，形成P+源區(qū)，隨后光刻注入高濃度N型雜質(zhì)形成N+源區(qū)；淀積絕緣介質(zhì)層，完成正面金屬層；淀積背面金屬電極。本發(fā)明有效減少成本及觸發(fā)電壓，擁有超低觸發(fā)電壓及強(qiáng)泄放電荷能力。

本發(fā)明授權(quán)超低壓觸發(fā)器件及其制作方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.超低壓觸發(fā)器件，其特征在于：包括背面金屬電極（111），背面金屬電極（111）上設(shè)P+襯底層（101），P+襯底層（101）上淀積N型外延層（102）；在N型外延層（102）左側(cè)邊緣設(shè)有P+隔離層（103），在N型外延層（102）右側(cè)設(shè)有推結(jié)形成的P型基區(qū)（106）；在P+隔離層（103）與P型基區(qū)（106）之間設(shè)有N+多晶硅（105），N型外延層（102）與N+多晶硅（105）之間設(shè)有熱氧化層（104）；P+隔離層（103）穿通至P+襯底層（101）；N+多晶硅（105）、P型基區(qū)（106）兩個(gè)區(qū)域中均設(shè)P+源區(qū)（107），然后在P+隔離層（103）與N+多晶硅（105）之間、N+多晶硅（105）和P型基區(qū)（106）區(qū)域中的P+源區(qū)（107）側(cè)注入N型雜質(zhì)形成N+源區(qū)（108）；N型外延層（102）上淀積絕緣介質(zhì)層（109），絕緣介質(zhì)層（109）上刻蝕正面金屬層（110）；所述P+襯底層（101）、N型外延層（102）形成D1，P+源區(qū)（107）、N+源區(qū)（108）形成D2，D1與D2形成二極管串；所述P+襯底層（101）、N型外延層（102）、P型基區(qū)（106）、P+隔離層（103）與N+多晶硅（105）之間的N+源區(qū)（108）形成PNPN型晶閘管。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人江蘇吉萊微電子股份有限公司;成都吉萊芯科技有限公司，其通訊地址為：226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)牡丹江西路1800號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。