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恭喜成都明夷電子科技股份有限公司趙欣獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜成都明夷電子科技股份有限公司申請(qǐng)的專利一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112230702B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202011210745.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G05F1/56;該發(fā)明授權(quán)一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路是由趙欣設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-11-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路在說明書摘要公布了:一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路,偏置電流源輸出偏置電流的端口連接到三極管Q1的集電極,所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R1后接地,所述三極管Q1的基極連接到三極管Q2的基極,三極管Q2的發(fā)射極通過電阻R2后和電阻R1接地端共地,所述三極管Q1基極還通過電容C1后和電阻R2、電阻R1接地端共地;三極管Q2集電極分別連接到兩個(gè)三極管Q3、Q4的發(fā)射極,所述三極管Q3的集電極通過電阻R3后連接電源,所述三極管Q4的集電極通過電阻R4后連接電源,三極管Q3和Q4的基極分別連接一個(gè)差分信號(hào)輸入;所述三極管Q1的集電極通過一個(gè)DNWCMOS模塊連接到三極管Q1的基極。

本發(fā)明授權(quán)一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路在權(quán)利要求書中公布了:1.一種SiGe工藝信號(hào)放大器尾電流偏置電路,其特征在于:偏置電流源輸出偏置電流的端口連接到三極管Q1的集電極,所述三極管Q1的發(fā)射極通過電阻R1后接地,所述三極管Q1的基極連接到三極管Q2的基極,三極管Q2的發(fā)射極通過電阻R2后和電阻R1接地端共地,所述三極管Q1基極還通過電容C1后和電阻R2、電阻R1接地端共地;三極管Q2集電極分別連接到兩個(gè)三極管Q3、Q4的發(fā)射極,所述三極管Q3的集電極通過電阻R3后連接電源,所述三極管Q4的集電極通過電阻R4后連接電源,三極管Q3和Q4的基極分別連接一個(gè)差分信號(hào)輸入;所述三極管Q1的集電極通過一個(gè)DNWCMOS模塊連接到三極管Q1的基極,所述DNWCMOS模塊的電路結(jié)構(gòu)為:三極管Q1的集電極連接到NMOS管NM1的柵極,所述NMOS管NM1的漏極連接電源,NMOS管NM1的源極和基體端連接,NMOS管NM1的源極通過二極管D1后連接電源,所述NMOS管NM1的源極還通過一個(gè)反向的二極管D2后接地,NMOS管NM1的源極還連接到三極管Q1的基極;所述三極管Q1的集電極和DNWCMOS模塊之間還設(shè)置有一個(gè)LevelShifter模塊,所述LevelShifter模塊的電路結(jié)構(gòu)為:PMOS管PM1的漏極和PMOS管PM2的漏極連接到電源,所述PMOS管PM1的柵極和PMOS管PM2的柵極連接,PMOS管PM1的源極和柵極連接,PMOS管PM2的源極和NMOS管NM2的漏極連接,NMOS管NM2的漏極和柵極連接;所述PMOS管PM1的源極連接到NMOS管NM4的漏極連接,所述NMOS管NM2的源極和NMOS管NM5的漏極連接,所述NMOS管NM3的柵極、NMOS管NM4的柵極和NMOS管NM5的柵極連接,所述NMOS管NM3的漏極和柵極連接并接一端接電源并向下供電的電流源,所述NMOS管NM3的源極、NMOS管NM4的源極和NMOS管NM5的源極共地;以PMOS管PM2的源極作為輸入端連接到DNWCMOS模塊,以NMOS管NM2的源極作為輸出端連接到三極管Q1的集電極;所述偏置電流源的電路結(jié)構(gòu)為:PMOS管PM3的漏極、PMOS管PM4的漏極和PMOS管PM5的漏極連接到電源,PMOS管PM3的柵極和PMOS管PM4的柵極連接,所述PMOS管PM5的柵極、PMOS管PM6的柵極和PMOS管PM7的柵極連接到一起,所述PMOS管PM3的源極連接到PMOS管PM6的漏極,所述PMOS管PM3的柵極連接到PMOS管PM6的源極,所述PMOS管PM7的源極作為輸出偏置電流的端口,所述PMOS管PM5的源極和PMOS管PM6的源極接下拉接地的電流源。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人成都明夷電子科技股份有限公司,其通訊地址為:610000 四川省成都市高新區(qū)德華路333號(hào)謝威中心A座9層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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