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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利SOI的有源區的隔離方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113948443B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111097857.6，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權SOI的有源區的隔離方法是由張慶;關天鵬設計研發完成，并于2021-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本SOI的有源區的隔離方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種SOI的有源區的隔離方法，包括：步驟一、提供一SOI襯底結構，在SOI襯底的半導體頂層表面形成硬質掩膜層；步驟二、對硬質掩膜層進行圖形化刻蝕形成第一開口；步驟三、進行選擇性外延生長在第一開口暴露的半導體頂層表面形成第一外延層，第一外延層形成后會在第一開口的側面處形成第一凹口；步驟四、進行氧化工藝使第一外延層全部被氧化以及使第一凹口底部的半導體頂層也被氧化并最后形成第一氧化層，在第一凹口底部第一氧化層會穿過半導體頂層；步驟五、去除硬質掩膜層和第一氧化層，在第一氧化層穿過半導體頂層的位置處形成隔離凹槽并隔離出有源區。本發明能對半導體頂層實現超小間隙切割，能降低隔離結構的關鍵尺寸。

本發明授權SOI的有源區的隔離方法在權利要求書中公布了：1.一種SOI的有源區的隔離方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟一、提供一SOI襯底結構，所述SOI襯底包括半導體主體層，介質埋層和半導體頂層，所述介質埋層形成于所述半導體主體層表面，所述半導體頂層形成于所述介質埋層表面；在所述半導體頂層表面形成硬質掩膜層；步驟二、對所述硬質掩膜層進行圖形化刻蝕形成第一開口，所述第一開口將所述半導體頂層表面暴露；步驟三、進行選擇性外延生長在所述第一開口暴露的所述半導體頂層表面形成第一外延層，所述第一外延層從所述半導體頂層的表面開始由下往上生長，所述第一開口的側面不生長所述第一外延層，所述第一外延層形成后會在所述第一開口的側面處形成第一凹口；步驟四、進行氧化工藝使所述第一外延層全部被氧化以及使所述第一凹口底部的所述半導體頂層也被氧化并最后形成第一氧化層，在所述第一凹口底部所述第一氧化層會穿過所述半導體頂層；步驟五、去除所述硬質掩膜層和所述第一氧化層從而露出所述半導體頂層的頂部表面且在所述第一氧化層穿過所述半導體頂層的位置處形成隔離凹槽，所述隔離凹槽之間的所述半導體頂層作為有源區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。