恭喜上海華力集成電路制造有限公司郝燕霞獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海華力集成電路制造有限公司申請的專利增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300361B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111441685.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法是由郝燕霞設計研發完成，并于2021-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法，提供襯底，襯底上形成有鰭式結構，鰭式結構包括柵極和形成于柵極頂端的上層結構，且形成有覆蓋鰭式結構表面的防護層；對防護層摻雜，使得防護層的介電常數降低、抗氧化性增強以及抗刻蝕能力增強；去除柵極頂端的上層結構以及上層結構表面的防護層，保留柵極的側壁上的防護層以形成側墻結構，其中側墻結構使得柵極被保護。本發明通過對SIOCN表面進行離子注入，形成兼具低k和抗氧化、刻蝕特質的SIOCN側墻，增大了接觸孔與柵極橋接工藝的窗口。
本發明授權增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法在權利要求書中公布了：1.一種增加FinFET器件接觸孔與柵極橋接工藝窗口的方法，其特征在于，至少包括：步驟一、提供襯底，所述襯底上形成有鰭式結構，所述鰭式結構包括柵極和形成于所述柵極頂端的上層結構，且形成有覆蓋所述鰭式結構表面的防護層，所述防護層通過原子層淀積的方式形成，所述防護層的材料為SIOCN；步驟二、對所述防護層摻雜，摻雜的離子為碳離子，所述碳離子在所述防護層中的離子濃度大于8％，使得所述防護層的介電常數降低、抗氧化性增強以及抗刻蝕能力增強；步驟三、去除所述柵極頂端的所述上層結構以及所述上層結構表面的所述防護層，保留所述柵極的側壁上的所述防護層以形成側墻結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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