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龍圖騰網恭喜上海乾合微電子有限公司申請的專利一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114510113B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210167543.7，技術領域涉及：G05F3/26；該發明授權一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路是由劉剛;郭天生;黃小妍;潘浩;趙鵬設計研發完成，并于2022-02-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路在說明書摘要公布了：本發明涉及射頻前端芯片技術領域,公開了一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路，包括電壓輸入端、第一分壓單元、第二分壓單元、PMOS管MP1、第一電流鏡單元、第二電流鏡單元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降壓單元和電壓輸出端；在實際使用時，當電壓輸入端輸入的電壓是3.3V時，PMOS管MP1導通，PMOS管MP1輸出的電流經第一電流鏡單元和第二電流鏡單元鏡像后，在NMOS管MN1上產生壓降，使PMOS管MP2關斷，3.3V電壓經降壓單元輸出；當電壓輸入端輸入1.8V電壓時，PMOS管MP1關斷，不向第一電流鏡單元輸入電流，第一電流鏡單元和第二電流鏡單元不工作，1.8V電壓經PMOS管MP2輸出，因此本發明能夠兼容兩種電壓規格的電源電壓輸入，且降低輸入電壓為1.8V時的工作電流和能耗。

本發明授權一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路在權利要求書中公布了：1.一種射頻前端芯片的偏置電壓產生電路，其特征在于，包括電壓輸入端、第一分壓單元、第二分壓單元、PMOS管MP1、第一電流鏡單元、第二電流鏡單元、NMOS管MN1、PMOS管MP2、降壓單元和電壓輸出端；所述第一分壓單元、第二分壓單元、第二電流鏡單元、PMOS管MP2的源極和降壓單元的輸入端分別和所述電壓輸入端電連接，所述PMOS管MP2的漏極和降壓單元的輸出端分別與所述電壓輸出端電連接；所述第一分壓單元的分壓節點與所述PMOS管MP1的源極電連接，所述第二分壓單元的分壓節點與所述PMOS管MP1的柵極電連接，在所述第一分壓單元和第二分壓單元導通時，所述第一分壓單元的分壓節點的電壓大于所述第二分壓單元的分壓節點的電壓，所述第一分壓單元的分壓節點與接地端之間的壓差和所述第二分壓單元的分壓節點與接地端之間的壓差均大于1.8V；所述第一電流鏡單元對所述PMOS管MP1的輸出電流進行鏡像，輸出第二電流，所述第二電流鏡單元對所述第二電流進行鏡像，輸出第三電流，所述第三電流輸入到NMOS管MN1的漏極，所述NMOS管MN1的漏極與所述PMOS管MP2的柵極電連接，所述NMOS管MN1的柵極與第二分壓單元的第二分壓節點電連接，在所述第二分壓單元導通時所述第二分壓單元的分壓節點的電壓大于所述第二分壓節點的電壓，所述NMOS管MN1的源極接地；所述第一分壓單元包括依次串聯的電阻R1、二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4，所述二極管D4的負極接地，所述電阻R1未與二極管D1電連接的一端與所述電壓輸入端電連接，所述電阻R1與所述二極管D1電連接的一端與所述PMOS管MP1的源極電連接；所述第一電流鏡單元包括NMOS管MN2、NMOS管MN3和NMOS管MN4，PMOS管MP1的漏極分別和NMOS管MN2的漏極、NMOS管MN2的柵極、NMOS管MN3的柵極電連接，NMOS管MN2的源極和NMOS管MN3的源極均接地，NMOS管MN3的漏極與NMOS管MN4的源極電連接，NMOS管MN4的柵極與PMOS管MP1的柵極電連接，NMOS管MN4的漏極與第二電流鏡單元電連接。

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