恭喜山西創芯光電科技有限公司張竟獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜山西創芯光電科技有限公司申請的專利一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119604073B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510138011.4，技術領域涉及：H10F71/00；該發明授權一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法是由張竟;張培峰;蘇瑩;王慧云;李水利;王書浩設計研發完成，并于2025-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法，屬于紅外探測器制備技術領域；包括以下步驟：首先在襯底上方依次均勻生長緩沖層和第一歐姆接觸層；在第一歐姆接觸層上方生長絕緣的定義層；定義層生長完成后，在定義層上方位置吸附一張Mask，Mask的開孔位置即為定義層限定的臺面范圍；根據需要依次生長相應的膜層；生長鈍化層；后續按照常規工藝進行鈍化開孔、金電極、銦電極、倒裝互聯得到紅外探測器；本發明可以避免臺面刻蝕，進而避免干法刻蝕和濕法刻蝕帶來的材料損傷，進而提高器件性能。
本發明授權一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法在權利要求書中公布了：1.一種優化臺面制作的Ⅱ類超晶格紅外探測器制備方法，其特征在于：包括以下步驟：1）首先在襯底上方依次均勻生長緩沖層和第一歐姆接觸層；2）在第一歐姆接觸層上方生長絕緣的定義層；所述定義層用于確定臺面生長的范圍，所述定義層設置有開孔，定義層開孔的位置即為臺面生長的范圍；3）定義層生長完成后，在定義層上方位置吸附一張Mask，Mask的開孔位置即為定義層限定的臺面范圍；4）根據需要在Mask的開孔中依次生長M型勢壘層、吸收區、第二歐姆接觸層和蓋層；5）生長鈍化層；6）后續按照常規工藝進行鈍化開孔、金電極、銦電極、倒裝互聯得到紅外探測器。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山西創芯光電科技有限公司，其通訊地址為：030000 山西省太原市小店區南內環街16號二號廠房一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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