恭喜中國科學院微電子研究所張紫辰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中國科學院微電子研究所申請的專利可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115755274B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211359505.8，技術領域涉及：G02B6/136；該發明授權可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法是由張紫辰;侯煜;李朋;張昆鵬;張喆;李曼;石海燕;王然;岳嵩;薛美設計研發完成，并于2022-11-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，包括：將激光束聚焦于硅基半導體材料第一區域內部，對第一區域進行3D刻蝕，以使雙凸透鏡外輪廓、型腔內部及光纖固定孔內部形成改質結構；對所述改質結構進行濕法刻蝕，以去除所述改質結構，完成雙凸透鏡、型腔及光纖固定孔的制備；在所述第一區域的下表面沉積金屬材料，以形成散熱層；將激光束聚焦于第一區域之外的第二區域，依據所述硅基半導體材料的光學性能對所述硅基半導體材料進行改質，形成導波結構和邏輯器件結構，以形成光子集成芯片。本發明提供的可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，能夠簡化工藝步驟，降低設備成本和工藝成本。
本發明授權可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法在權利要求書中公布了：1.一種可編程的FPGA硅基光子集成芯片制造方法，其特征在于，包括：將激光束聚焦于硅基半導體材料第一區域內部，對第一區域進行3D刻蝕，以使雙凸透鏡外輪廓、型腔內部及光纖固定孔內部形成改質結構；對所述改質結構進行濕法刻蝕，以去除所述改質結構，完成雙凸透鏡、型腔及光纖固定孔的制備；在所述第一區域的下表面沉積金屬材料，以形成散熱層；將激光束聚焦于第一區域之外的第二區域，依據所述硅基半導體材料的光學性能對所述硅基半導體材料進行改質，形成導波結構和邏輯器件結構，以形成光子集成芯片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區北土城西路3號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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