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龍圖騰網(wǎng)恭喜杭州美迪凱光電科技股份有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法及光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113594022B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202110842610.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法及光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體是由葛文志;翁欽盛;王剛;陳銀培;丁宇能;周洋;陳博設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法及光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法及光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體，該方法通過(guò)將光刻膠涂布在半導(dǎo)體晶圓基板表面并在半導(dǎo)體晶圓基板的表面劃分為透光區(qū)和遮光區(qū)，讓然后采用光刻工藝在所述透光區(qū)刻畫(huà)圖案再進(jìn)行光學(xué)薄膜的沉積，將高折射率或低折射率材料的光學(xué)薄膜膜層交錯(cuò)堆疊在所述透光區(qū)表面，使得所述透光區(qū)和所述遮光區(qū)交界處膜層厚度梯度變化，最后去除所述光刻膠即可。該方法獲得的光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體在豎直方向上，IRC層的遠(yuǎn)離基板的邊緣與涂膠背膠面的邊緣不重疊，在保證其正常的電性能的前提下附加光學(xué)性能，附加的光學(xué)性能使產(chǎn)品精度大大提高，具有很高的推廣價(jià)值。

本發(fā)明授權(quán)一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法及光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓嫁接方法，其特征在于：包括，1將光刻膠涂布在半導(dǎo)體晶圓基板表面；2將所述半導(dǎo)體晶圓基板的表面劃分為透光區(qū)和遮光區(qū)；3用光刻膠將所述遮光區(qū)進(jìn)行保護(hù)，采用光刻工藝在所述透光區(qū)刻畫(huà)圖案；4待光刻工藝完成后進(jìn)行光學(xué)薄膜的沉積，將高折射率和低折射率材料的光學(xué)薄膜膜層交錯(cuò)堆疊在所述透光區(qū)表面，所述透光區(qū)和所述遮光區(qū)交界處1.5-3.5um范圍區(qū)域膜層厚度梯度變化，涂膠時(shí)形成梯形的高度與其寬度之比為1.45：1.65或1.5：1.55，且垂直方向上IRC層的遠(yuǎn)離基板的邊緣與涂膠背膠面的邊緣不重疊；5去除所述光刻膠；所述光學(xué)鍍膜半導(dǎo)體晶圓用于生物識(shí)別。

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