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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市嘉合勁威電子科技有限公司申請的專利一種雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法、裝置及設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114141296B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111450076.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G11C29/00；該發(fā)明授權(quán)一種雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法、裝置及設(shè)備是由陳暉;張麗麗;朱星宇;明振東設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-11-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法、裝置及設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法和裝置，包括：依據(jù)不良IC的類型和不良區(qū)域，對所述不良IC進(jìn)行分組；從所述A組、B組、C組、D組和E組中選擇其中兩組不良IC，以及從選中的其中一組選擇至少2個不良IC，從選中的另一組選擇至少1個不良IC，并依據(jù)所述不良IC的分組和預(yù)設(shè)規(guī)則，劃分所述不良IC中地址線位的IC位區(qū)；依據(jù)所述IC位區(qū)和所述不良IC的類型，調(diào)整×16IC雙晶封裝的PCB板的布局。通過上述方法可對不良品的DDP類型封裝的內(nèi)存進(jìn)行修補，利用出廠的內(nèi)存IC存在不良產(chǎn)品，通過修補使其變?yōu)楹细癞a(chǎn)品，有效的利用了不良產(chǎn)品，節(jié)省資源，同時也在一定程度上有利于環(huán)境的保護(hù)。

本發(fā)明授權(quán)一種雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法、裝置及設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種雙晶內(nèi)存條上下位的修補方法，其特征在于，應(yīng)用于×16雙晶封裝的不良IC的重組封裝，所述方法包括：依據(jù)不良IC的類型和不良區(qū)域，對所述不良IC進(jìn)行分組；其中，所述分組包括A組、B組、C組、D組和E組；所述不良區(qū)域類型為地址線位區(qū)域；其中，所述A組區(qū)域為0-3位，B組區(qū)域為4-7位，C組區(qū)域為8-11位，D組區(qū)域為12-15位，E組區(qū)域為8-15位；從所述A組、B組、C組、D組和E組中選擇其中兩組不良IC，以及從選中的其中一組選擇至少2個不良IC，從選中的另一組選擇至少1個不良IC，并依據(jù)所述不良IC的分組和預(yù)設(shè)規(guī)則，劃分所述不良IC中地址線位的IC位區(qū)；依據(jù)所述IC位區(qū)和所述不良IC的類型，調(diào)整×16IC雙晶封裝的PCB板的布局。

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