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龍圖騰網恭喜大連理工大學申請的專利一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法、系統及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115470648B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211188157.2，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法、系統及電子設備是由趙明亮;張鈺如;高飛;王友年設計研發完成，并于2022-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法、系統及電子設備在說明書摘要公布了：本發明提供了一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法、系統及電子設備，涉及偏壓感應耦合等離子體技術領域，包括：確定偏壓感應耦合等離子體源的電場和感應沉積功率密度，進而得到體區流體參數和每個鞘層的鞘層參數；確定并將鞘層對體區的隨機加熱通量，作為下一次迭代時體區二維流體模型中體區電子能量方程的邊界條件，確定偏壓感應耦合等離子體源的電場，直至體區流體參數和鞘層參數均收斂，得到時空變化電場；進而確定離子蒙特卡洛碰撞模型，得到極板不同位置處的離子能量分布和離子角度分布。能夠同時且快速地確定出偏壓感應耦合等離子體源中的離子能量分布和離子角度分布，進而提高優化偏壓感應耦合等離子體源放電特性的效率。

本發明授權一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法、系統及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種偏壓感應耦合等離子體源優化方法，其特征在于，包括：獲取偏壓感應耦合等離子體源的參數；所述參數包括放電氣壓、功率和腔室尺寸；根據所述參數，確定偏壓感應耦合等離子體源的電場和感應沉積功率密度；根據所述感應沉積功率密度確定體區二維流體模型，得到體區流體參數，同時獲取鞘層邊界處的等離子體密度和電子溫度；體區流體參數包括體區的電子密度、離子密度、電子溫度和雙極靜電場；根據鞘層邊界處的等離子體密度和電子溫度確定多個一維鞘層模型，得到每個鞘層的鞘層參數；鞘層參數包括鞘層中的鞘層電子密度、鞘層離子密度、鞘層電勢和鞘層電場；所述一維鞘層模型和偏壓感應耦合等離子體源中的鞘層一一對應；判斷體區流體參數和鞘層參數是否均收斂，得到判斷結果；若所述判斷結果為否，則根據鞘層參數確定鞘層對體區的隨機加熱通量，并將隨機加熱通量作為下一次迭代時體區二維流體模型中體區電子能量方程的邊界條件返回步驟“確定偏壓感應耦合等離子體源的電場和感應沉積功率密度”；若所述判斷結果為是，則確定最后一次迭代時的鞘層電場為時空變化電場；基于所述時空變化鞘層電場確定離子蒙特卡洛碰撞模型，得到極板不同位置處的離子能量分布和離子角度分布。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人大連理工大學，其通訊地址為：116024 遼寧省大連市甘井子區凌工路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。