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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119442812B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510038591.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/23；該發(fā)明授權(quán)一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法及系統(tǒng)是由張振中;郝建勇;劉瑋設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法及系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其具體包括：收集芯片參數(shù)數(shù)據(jù)，建立初步有限元模型，并利用自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)化算法進(jìn)行網(wǎng)格劃分；接著設(shè)置多軸應(yīng)力調(diào)控目標(biāo)，對模型進(jìn)行多軸應(yīng)力分析，生成應(yīng)力分布圖和溫度變化圖，標(biāo)注核心應(yīng)力點(diǎn)；然后根據(jù)分析結(jié)果制定并實(shí)施多軸應(yīng)力調(diào)控策略，生成芯片堆疊方案；最后對堆疊后的芯片進(jìn)行薄化處理和性能測試，評估應(yīng)力調(diào)控效果并生成評估報(bào)告。該方法能有效提高三維堆疊芯片的可靠性和性能。

本發(fā)明授權(quán)一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于三維堆疊芯片的多軸應(yīng)力調(diào)控方法，其特征在于，包括：步驟S1：收集三維堆疊芯片的芯片參數(shù)數(shù)據(jù)，根據(jù)收集的芯片參數(shù)數(shù)據(jù)，建立三維堆疊芯片的初步有限元模型，并使用基于誤差估計(jì)的自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)化算法對三維堆疊芯片的初步有限元模型進(jìn)行網(wǎng)格劃分，獲得三維堆疊芯片有限元網(wǎng)格模型；步驟S2：設(shè)置多軸應(yīng)力調(diào)控目標(biāo)，對三維堆疊芯片有限元網(wǎng)格模型進(jìn)行多軸應(yīng)力分析，計(jì)算芯片在不同工況下的應(yīng)力分布和溫度變化，并根據(jù)多軸應(yīng)力分析的計(jì)算結(jié)果，生成應(yīng)力分布圖和溫度變化圖，并標(biāo)注出核心應(yīng)力點(diǎn)的位置；步驟S3：根據(jù)多軸應(yīng)力分析結(jié)果，制定多軸應(yīng)力調(diào)控策略，并在芯片堆疊過程中實(shí)施制定的多軸應(yīng)力調(diào)控策略，生成包含多軸應(yīng)力調(diào)控策略的芯片堆疊方案；S3.1：獲取步驟S2中的多軸應(yīng)力分析結(jié)果，并對多軸應(yīng)力分析的結(jié)果進(jìn)行解讀，獲得應(yīng)力分布、應(yīng)力集中點(diǎn)、應(yīng)力梯度信息；S3.2：根據(jù)獲得的應(yīng)力分布、應(yīng)力核心點(diǎn)、應(yīng)力梯度信息，識別芯片堆疊過程中出現(xiàn)的應(yīng)力問題和潛在風(fēng)險(xiǎn)，確定需要調(diào)控的應(yīng)力區(qū)域和應(yīng)力水平；S3.3：根據(jù)識別結(jié)果，制定多軸應(yīng)力調(diào)控策略，所數(shù)多軸應(yīng)力調(diào)控策略包括優(yōu)化芯片堆疊結(jié)構(gòu)、調(diào)整材料參數(shù)、引入應(yīng)力緩解結(jié)構(gòu)；S3.4：在芯片堆疊的初始階段，將制定的多軸應(yīng)力調(diào)控策略融入其中，并按照制定的多軸應(yīng)力調(diào)控策略進(jìn)行實(shí)施；S3.5：實(shí)時(shí)監(jiān)控堆疊過程中的應(yīng)力變化，根據(jù)監(jiān)控結(jié)果及時(shí)調(diào)整多軸應(yīng)力調(diào)控策略；S3.6：根據(jù)多軸應(yīng)力調(diào)控策略的實(shí)施情況，生成包含多軸應(yīng)力調(diào)控策略的芯片堆疊方案；步驟S4：根據(jù)芯片堆疊方案，對堆疊后的芯片進(jìn)行薄化處理和性能測試，并根據(jù)測試結(jié)果，評估堆疊芯片的應(yīng)力調(diào)控效果，并生成應(yīng)力調(diào)控效果評估報(bào)告。

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