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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京懷柔實(shí)驗(yàn)室申請(qǐng)的專(zhuān)利半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法及其裝置獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119575143B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202510122662.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/28；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法及其裝置是由魏曉光;唐新靈;林仲康;郝煒;代安琪;高佳敏;王亮;杜玉杰;于克凡;王靖飛設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法及其裝置在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法及其裝置。該熱阻測(cè)試方法包括：向芯片通入測(cè)量電流，獲取芯片兩側(cè)的初始電壓降，以及封裝外殼的正面初始?xì)睾捅趁娉跏細(xì)兀惶峁┠繕?biāo)環(huán)境溫度，并采集封裝外殼的正面目標(biāo)殼溫和背面目標(biāo)殼溫以及芯片兩側(cè)的目標(biāo)電壓降；基于初始電壓降、正面初始?xì)亍⒈趁娉跏細(xì)亍⒛繕?biāo)電壓降、正面目標(biāo)殼溫及背面目標(biāo)殼溫確定半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的串并聯(lián)比例系數(shù)。該熱阻測(cè)試方法還包括：獲取流過(guò)芯片的目標(biāo)熱流；基于正面目標(biāo)殼溫、背面目標(biāo)殼溫和目標(biāo)熱流確定半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的串聯(lián)熱阻；根據(jù)所述串聯(lián)熱阻和所述串并聯(lián)比例系數(shù)確定半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的并聯(lián)熱阻。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法及其裝置在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的熱阻測(cè)試方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括芯片以及包覆所述芯片的封裝外殼；所述熱阻測(cè)試方法包括：向所述芯片通入測(cè)量電流，獲取所述芯片兩側(cè)的初始電壓降，以及所述封裝外殼的正面初始?xì)睾捅趁娉跏細(xì)兀惶峁┠繕?biāo)環(huán)境溫度，并采集所述封裝外殼的正面目標(biāo)殼溫和背面目標(biāo)殼溫以及所述芯片兩側(cè)的目標(biāo)電壓降；基于所述初始電壓降、所述正面初始?xì)亍⑺霰趁娉跏細(xì)亍⑺瞿繕?biāo)電壓降、所述正面目標(biāo)殼溫及所述背面目標(biāo)殼溫確定所述芯片在所述目標(biāo)環(huán)境溫度下的結(jié)溫計(jì)算公式；根據(jù)所述芯片在所述目標(biāo)環(huán)境溫度下的結(jié)溫計(jì)算公式確定所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的串并聯(lián)比例系數(shù)，包括：聯(lián)立所述目標(biāo)電壓降與所述初始電壓降之差的方程組如下： ；其中，VAK0為所述初始電壓降，Th0為所述正面初始?xì)兀琓c0為所述背面初始?xì)兀琸為電壓隨溫度變化的比例系數(shù)，VAK1為第一目標(biāo)電壓降，VAK2為第二目標(biāo)電壓降，Th1為正面第一目標(biāo)殼溫，Tc1為背面第一目標(biāo)殼溫，Th2為正面第二目標(biāo)殼溫，Tc2為背面第二目標(biāo)殼溫，β為所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的串并聯(lián)比例系數(shù)；根據(jù)所述初始電壓降、所述正面初始?xì)亍⑺霰趁娉跏細(xì)亍⑺瞿繕?biāo)電壓降、所述正面目標(biāo)殼溫及所述背面目標(biāo)殼溫的測(cè)量數(shù)據(jù)求解所述方程組，確定出所述比例系數(shù)和所述串并聯(lián)比例系數(shù)；獲取流過(guò)所述芯片的目標(biāo)熱流；基于所述正面目標(biāo)殼溫、所述背面目標(biāo)殼溫和所述目標(biāo)熱流確定所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的串聯(lián)熱阻；根據(jù)所述串聯(lián)熱阻和所述串并聯(lián)比例系數(shù)確定所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的并聯(lián)熱阻。

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