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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111656488B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201980010351.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制是由米爾扎弗·阿巴查夫;傅乾;山口葉子;亞倫·埃普勒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-01-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制在說明書摘要公布了：本文描述了用于在多重圖案化處理中使用原子層沉積ALD來控制間隔件輪廓的方法和設(shè)備。以多圖案化方案將氧化硅間隔件沉積在圖案化的芯材料和襯底的目標(biāo)層上。通過多個(gè)ALD循環(huán)在包括氧化時(shí)間、等離子功率和襯底溫度的第一氧化條件下沉積氧化硅間隔件的第一厚度。在第二氧化條件下通過多個(gè)ALD循環(huán)沉積氧化硅間隔件的第二厚度，其中第二氧化條件與第一氧化條件的區(qū)別在于一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。在蝕刻圖案化的芯材料之后，氧化硅間隔件的所得輪廓至少部分取決于第一和第二氧化條件。

本發(fā)明授權(quán)在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于控制多個(gè)氧化硅間隔件的斜度的方法，其包括：在等離子體室中，通過原子層沉積在襯底上沉積第一厚度的氧化硅間隔件層，其中所述襯底包括圖案化的芯材料和在所述圖案化的芯材料下面的目標(biāo)層，其中通過原子層沉積來沉積所述第一厚度的所述氧化硅間隔件層包括將所述襯底暴露于第一劑量的含硅前體以及在第一氧化條件下將所述襯底暴露于氧化劑的等離子體；在所述等離子體室中，通過原子層沉積在所述襯底上沉積第二厚度的所述氧化硅間隔件層，其中通過原子層沉積來沉積所述第二厚度的所述氧化硅間隔件層包括將所述襯底暴露于第二劑量的所述含硅前體以及在第二氧化條件下將所述襯底暴露于所述氧化劑的等離子體，所述第二氧化條件不同于所述第一氧化條件；以及在所述等離子體室中，蝕刻所述氧化硅間隔件層的一部分和所述圖案化的芯材料以形成多個(gè)氧化硅間隔件，其中，所述多個(gè)氧化硅間隔件包括所述氧化硅間隔件層的其余部分以用作所述目標(biāo)層的掩模，其中，所述多個(gè)氧化硅間隔件中的每一個(gè)具有斜度，其中，所述斜度至少部分地取決于所述第一氧化條件和所述第二氧化條件。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。