恭喜朗姆研究公司米爾扎弗·阿巴查夫獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111656488B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980010351.1，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制是由米爾扎弗·阿巴查夫;傅乾;山口葉子;亞倫·埃普勒設計研發完成，并于2019-01-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制在說明書摘要公布了：本文描述了用于在多重圖案化處理中使用原子層沉積ALD來控制間隔件輪廓的方法和設備。以多圖案化方案將氧化硅間隔件沉積在圖案化的芯材料和襯底的目標層上。通過多個ALD循環在包括氧化時間、等離子功率和襯底溫度的第一氧化條件下沉積氧化硅間隔件的第一厚度。在第二氧化條件下通過多個ALD循環沉積氧化硅間隔件的第二厚度，其中第二氧化條件與第一氧化條件的區別在于一個或多個參數。在蝕刻圖案化的芯材料之后，氧化硅間隔件的所得輪廓至少部分取決于第一和第二氧化條件。
本發明授權在多重圖案化處理中使用原子層沉積的間隔件輪廓控制在權利要求書中公布了：1.一種用于控制多個氧化硅間隔件的斜度的方法，其包括：在等離子體室中，通過原子層沉積在襯底上沉積第一厚度的氧化硅間隔件層，其中所述襯底包括圖案化的芯材料和在所述圖案化的芯材料下面的目標層，其中通過原子層沉積來沉積所述第一厚度的所述氧化硅間隔件層包括將所述襯底暴露于第一劑量的含硅前體以及在第一氧化條件下將所述襯底暴露于氧化劑的等離子體；在所述等離子體室中，通過原子層沉積在所述襯底上沉積第二厚度的所述氧化硅間隔件層，其中通過原子層沉積來沉積所述第二厚度的所述氧化硅間隔件層包括將所述襯底暴露于第二劑量的所述含硅前體以及在第二氧化條件下將所述襯底暴露于所述氧化劑的等離子體，所述第二氧化條件不同于所述第一氧化條件；以及在所述等離子體室中，蝕刻所述氧化硅間隔件層的一部分和所述圖案化的芯材料以形成多個氧化硅間隔件，其中，所述多個氧化硅間隔件包括所述氧化硅間隔件層的其余部分以用作所述目標層的掩模，其中，所述多個氧化硅間隔件中的每一個具有斜度，其中，所述斜度至少部分地取決于所述第一氧化條件和所述第二氧化條件。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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