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龍圖騰網恭喜中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利諧振器及半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110868169B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910080476.3，技術領域涉及：H03H3/02；該發明授權諧振器及半導體器件是由李亮;呂鑫;梁東升;劉青林;馬杰;崔玉興;楊志;李宏軍設計研發完成，并于2019-01-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本諧振器及半導體器件在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，公開了一種諧振器和半導體器件。該諧振器包括：襯底；多層結構，形成于所述襯底上，所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；其中，在所述襯底和所述多層結構之間形成有腔體，所述腔體由所述襯底的上側面和所述多層結構的下側面圍成，所述多層結構的下側面與所述腔體對應部分的中部區域為平面，且中部區域的邊緣與所述腔體邊緣之間為圓滑過渡的平滑曲面，所述平滑曲面位于所述襯底的上側面和所述平面之間。上述諧振器通過設置頂壁為平面的腔體，從而形成一種新型的諧振器結構，且具有較好的性能。

本發明授權諧振器及半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種諧振器，其特征在于，包括：襯底；多層結構，形成于所述襯底上，所述多層結構由下至上依次包括下電極層、壓電層和上電極層；其中，在所述襯底和所述多層結構之間形成有腔體，所述腔體由所述襯底的上側面和所述多層結構的下側面圍成，所述多層結構的下側面與所述腔體對應部分的中部區域為平面，且中部區域的邊緣與所述腔體邊緣之間為圓滑過渡的平滑曲面，所述平滑曲面位于所述襯底的上側面和所述平面之間；所述平滑曲面包括圓滑過渡連接的第一曲面和第二曲面；所述平滑曲面與所述襯底接觸處的切面與所述襯底的夾角小于45度；所述腔體的形狀由屏蔽層的具體形狀來形成；所述屏蔽層的形狀與犧牲材料部分的形狀一致；所述屏蔽層的邊緣處由多次離子注入形成多層摻雜雜質層，在多次離子注入中能量最大的第一次離子注入的深度小于屏蔽層的厚度；在屏蔽層的邊緣處，所述屏蔽層相對于離子注入方向的厚度，通過變換離子注入的方向得到不同深度的摻雜雜質層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第十三研究所，其通訊地址為：050051 河北省石家莊市新華區合作路113號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。