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龍圖騰網恭喜三星電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110600550B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910225554.4，技術領域涉及：H10D30/62；該發明授權半導體器件是由李炳訓;金完敦;樸鐘昊;玄尚鎮設計研發完成，并于2019-03-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：提供了一種半導體器件。該半導體器件包括：襯底上的多溝道有源圖案；在多溝道有源圖案上沿多溝道有源圖案形成的高介電常數絕緣層，其中高介電常數絕緣層包含金屬；在高介電常數絕緣層上沿高介電常數絕緣層形成的氮化硅層；以及氮化硅層上的柵電極。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：鰭型突起，從襯底突出，并包括從所述鰭型突起的頂表面突出的突起部；所述突起部上的多溝道有源圖案，所述多溝道有源圖案包括第一有源圖案以及在所述第一有源圖案上與所述第一有源圖案間隔開的第二有源圖案；在所述多溝道有源圖案上沿所述多溝道有源圖案形成的高介電常數絕緣層，其中，所述高介電常數絕緣層包含金屬；在所述高介電常數絕緣層上沿所述高介電常數絕緣層形成的氮化硅層；所述氮化硅層上的柵電極；內間隔物，設置在所述第一有源圖案與所述第二有源圖案之間與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案重疊的位置處，以及所述突起部與所述第一有源圖案之間與所述鰭型突起和所述第一有源圖案重疊的位置處；設置在所述第二有源圖案上的外間隔物；在所述多溝道有源圖案與所述高介電常數絕緣層之間沿所述多溝道有源圖案形成的界面層；設置在所述柵電極的至少一側上的半導體圖案；以及所述半導體圖案上的層間絕緣層，與所述外間隔物的至少一側相接觸，其中，所述內間隔物的外側壁與所述外間隔物的外側壁以及所述多溝道有源圖案的外側壁共面，其中，所述界面層的底表面接觸所述突起部，其中，所述內間隔物的底表面接觸所述突起部，其中，所述突起部的頂表面在第一方向上的寬度與所述第一有源圖案在所述第一方向上的寬度相同，其中，所述氮化硅層的厚度小于所述高介電常數絕緣層的厚度，其中，所述柵電極包括沿所述氮化硅層形成的導電氮化物層，其中，所述導電氮化物層包括彼此堆疊的氮化鈦TiN層和氮化鈦硅TiSiN層，以及其中，所述TiN層與所述氮化硅層接觸。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。