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龍圖騰網(wǎng)恭喜三星電子株式會(huì)社申請的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN110600550B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：201910225554.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由李炳訓(xùn);金完敦;樸鐘昊;玄尚鎮(zhèn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2019-03-22向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：提供了一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：襯底上的多溝道有源圖案；在多溝道有源圖案上沿多溝道有源圖案形成的高介電常數(shù)絕緣層，其中高介電常數(shù)絕緣層包含金屬；在高介電常數(shù)絕緣層上沿高介電常數(shù)絕緣層形成的氮化硅層；以及氮化硅層上的柵電極。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：鰭型突起，從襯底突出，并包括從所述鰭型突起的頂表面突出的突起部；所述突起部上的多溝道有源圖案，所述多溝道有源圖案包括第一有源圖案以及在所述第一有源圖案上與所述第一有源圖案間隔開的第二有源圖案；在所述多溝道有源圖案上沿所述多溝道有源圖案形成的高介電常數(shù)絕緣層，其中，所述高介電常數(shù)絕緣層包含金屬；在所述高介電常數(shù)絕緣層上沿所述高介電常數(shù)絕緣層形成的氮化硅層；所述氮化硅層上的柵電極；內(nèi)間隔物，設(shè)置在所述第一有源圖案與所述第二有源圖案之間與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案重疊的位置處，以及所述突起部與所述第一有源圖案之間與所述鰭型突起和所述第一有源圖案重疊的位置處；設(shè)置在所述第二有源圖案上的外間隔物；在所述多溝道有源圖案與所述高介電常數(shù)絕緣層之間沿所述多溝道有源圖案形成的界面層；設(shè)置在所述柵電極的至少一側(cè)上的半導(dǎo)體圖案；以及所述半導(dǎo)體圖案上的層間絕緣層，與所述外間隔物的至少一側(cè)相接觸，其中，所述內(nèi)間隔物的外側(cè)壁與所述外間隔物的外側(cè)壁以及所述多溝道有源圖案的外側(cè)壁共面，其中，所述界面層的底表面接觸所述突起部，其中，所述內(nèi)間隔物的底表面接觸所述突起部，其中，所述突起部的頂表面在第一方向上的寬度與所述第一有源圖案在所述第一方向上的寬度相同，其中，所述氮化硅層的厚度小于所述高介電常數(shù)絕緣層的厚度，其中，所述柵電極包括沿所述氮化硅層形成的導(dǎo)電氮化物層，其中，所述導(dǎo)電氮化物層包括彼此堆疊的氮化鈦TiN層和氮化鈦硅TiSiN層，以及其中，所述TiN層與所述氮化硅層接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星電子株式會(huì)社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。