恭喜朗姆研究公司巴德里·N·瓦拉達拉簡獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜朗姆研究公司申請的專利使用含硅和含碳前體的基于遠程等離子體的碳化硅膜沉積獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112514030B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980049654.4，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權使用含硅和含碳前體的基于遠程等離子體的碳化硅膜沉積是由巴德里·N·瓦拉達拉簡;馬修·斯科特·韋默;加爾博卡·赫瓦格·拉揚·薩維特拉;龔波;桂喆設計研發完成，并于2019-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用含硅和含碳前體的基于遠程等離子體的碳化硅膜沉積在說明書摘要公布了：可以使用遠程等離子體化學氣相沉積CVD技術沉積經摻雜或未經摻雜的碳化硅膜。將一種或多種含硅前體提供至反應室。以實質上低能態或基態提供自由基物質，例如氫的自由基物質，并且其與一種或多種含硅前體相互作用以沉積碳化硅膜。含碳前體可以與一種或多種含硅前體一起流動，其中該含碳前體具有一或更多個碳?碳雙鍵或三鍵，且每一含硅前體為具有至少一個硅原子的基于硅烷的前體，其具有兩或更多個的與該硅原子鍵合的氫原子。
本發明授權使用含硅和含碳前體的基于遠程等離子體的碳化硅膜沉積在權利要求書中公布了：1.一種在襯底上沉積碳化硅膜的方法，所述方法包含：在反應室中提供襯底；使含硅前體流入所述反應室中并朝向所述襯底流動，其中所述含硅前體具有至少兩個與硅原子鍵合的氫原子；使含碳前體與所述含硅前體一起沿著不暴露到等離子體的流動路徑流入所述反應室中，其中所述含硅前體和所述含碳前體通過遠程等離子體源下游的一或多個氣體出口流入所述反應室中，其中所述含碳前體為具有一或更多個碳-碳雙鍵或三鍵的烴分子；在所述遠程等離子體源中由氫源氣體產生氫的自由基，所述氫的自由基是在所述含硅前體和所述含碳前體的上游產生；以及將所述氫的自由基引入所述反應室中并導向所述襯底，其中所述氫的自由基處于基態以與所述含硅前體以及所述含碳前體進行反應，從而在所述襯底上形成經摻雜或未經摻雜的碳化硅膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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