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龍圖騰網(wǎng)恭喜阿托梅拉公司申請的專利包括源極和漏極區(qū)域與摻雜劑擴散阻擋超晶格層以減小接觸電阻的FINFET和相關方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113228300B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980085367.9，技術(shù)領域涉及：H10D30/62；該發(fā)明授權(quán)包括源極和漏極區(qū)域與摻雜劑擴散阻擋超晶格層以減小接觸電阻的FINFET和相關方法是由武內(nèi)英樹;D·康奈利;M·海塔;R·伯頓;R·J·米爾斯設計研發(fā)完成，并于2019-11-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本包括源極和漏極區(qū)域與摻雜劑擴散阻擋超晶格層以減小接觸電阻的FINFET和相關方法在說明書摘要公布了：FINFET可包括半導體鰭，在半導體鰭中間隔開的源極和漏極區(qū)域與在它們之間延伸的溝道區(qū)域，和將源極和漏極區(qū)域中的至少一個分成下部區(qū)域和上部區(qū)域的至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格，其中上部區(qū)域具有與下部區(qū)域相同的傳導率和比下部區(qū)域高的摻雜劑濃度。摻雜劑擴散阻擋超晶格可包括多個堆疊的層組，其中每個層組包含限定了基礎半導體部分的多個堆疊的基礎半導體單層，和被約束在相鄰的基礎半導體部分的晶體晶格內(nèi)的至少一個非半導體單層。FINFET還可包括在溝道區(qū)域上的柵極。

本發(fā)明授權(quán)包括源極和漏極區(qū)域與摻雜劑擴散阻擋超晶格層以減小接觸電阻的FINFET和相關方法在權(quán)利要求書中公布了：1.FINFET，包含：半導體鰭；在該半導體鰭中的間隔開的源極和漏極區(qū)域與在它們之間延伸的溝道區(qū)域；至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格，該至少一個摻雜劑擴散阻擋超晶格將源極和漏極區(qū)域中的至少一個分成下部區(qū)域和上部區(qū)域，其中該上部區(qū)域具有與該下部區(qū)域相同的傳導率和比該下部區(qū)域高的摻雜劑濃度；該摻雜劑擴散阻擋超晶格包含多個堆疊的層組，每個層組包含限定了基礎硅部分的多個堆疊的基礎硅單層，和被約束在相鄰的基礎硅部分的晶體晶格內(nèi)的至少一個氧單層；和在該溝道區(qū)域上的柵極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人阿托梅拉公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。