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龍圖騰網(wǎng)恭喜劍橋氮化鎵器件有限公司申請的專利基于III族氮化物功率半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)功率器件及其制造方法、及具有至少三個端子的異質(zhì)結(jié)芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113826205B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080034026.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/82；該發(fā)明授權(quán)基于III族氮化物功率半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)功率器件及其制造方法、及具有至少三個端子的異質(zhì)結(jié)芯片是由弗洛林·烏德雷亞;馬丁·阿諾德;洛伊佐斯·埃夫蒂米烏;焦?fàn)栙Z·隆戈巴爾迪;保羅·瑞安設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-05-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本基于III族氮化物功率半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)功率器件及其制造方法、及具有至少三個端子的異質(zhì)結(jié)芯片在說明書摘要公布了：本公開涉及GaN技術(shù)中的功率半導(dǎo)體器件。本公開提出集成的輔助雙柵極端子和下拉網(wǎng)絡(luò)以實現(xiàn)具有高于2V的閾值電壓、低柵極漏電流和增強(qiáng)的開關(guān)性能的常關(guān)E模式GaN晶體管。高閾值電壓GaN晶體管具有高壓有源GaN器件和低壓輔助GaN器件，其中，高壓GaN器件具有與集成的輔助低壓GaN的源極12連接的柵極10晶體管和作為外部高壓漏極端子9的漏極以及作為外部源極端子8的源極，而低壓輔助GaN晶體管具有連接至漏極第二輔助電極16的用作外部柵極端子的柵極第一輔助電極15。在實施例中，用于關(guān)斷高閾值電壓GaN晶體管的下拉網(wǎng)絡(luò)由附加的輔助低壓GaN晶體管34以及與低壓輔助GaN晶體管并聯(lián)或串聯(lián)連接的電阻元件形成。

本發(fā)明授權(quán)基于III族氮化物功率半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)功率器件及其制造方法、及具有至少三個端子的異質(zhì)結(jié)芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種基于III族氮化物功率半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)功率器件，所述異質(zhì)結(jié)功率器件包括：有源異質(zhì)結(jié)晶體管，形成在襯底上，所述有源異質(zhì)結(jié)晶體管包括：第一III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)，包括第一異質(zhì)結(jié)，所述第一異質(zhì)結(jié)包括第二導(dǎo)電類型的有源二維載氣；第一端子，操作性地連接至所述III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)；第二端子，與所述第一端子橫向間隔開并操作性地連接至所述III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)；有源柵極區(qū)，形成在所述III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)之上，所述有源柵極區(qū)形成在所述第一端子與所述第二端子之間；輔助異質(zhì)結(jié)晶體管，形成在所述襯底或另外的襯底上，所述輔助異質(zhì)結(jié)晶體管包括：第二III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)，包括第二異質(zhì)結(jié)，所述第二異質(zhì)結(jié)包括第二導(dǎo)電類型的輔助二維載氣；第一附加端子，操作性地連接至所述第二III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)；第二附加端子，與所述第一附加端子橫向間隔開并操作性地連接至所述第二III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)；輔助柵極區(qū)，形成在所述第二III族氮化物半導(dǎo)體區(qū)之上，所述輔助柵極區(qū)形成在所述第一附加端子與所述第二附加端子之間；其中，所述第一附加端子與所述輔助柵極區(qū)操作性地連接，并且其中，所述第二附加端子與所述有源柵極區(qū)操作性地連接；并且其中，所述輔助異質(zhì)結(jié)晶體管為第一輔助異質(zhì)結(jié)晶體管，并且其中，所述異質(zhì)結(jié)功率器件還包括與所述第一輔助異質(zhì)結(jié)晶體管操作性地并聯(lián)連接的第二輔助異質(zhì)結(jié)晶體管，以及其中，所述第一輔助異質(zhì)結(jié)晶體管的第一附加端子與所述第二輔助異質(zhì)結(jié)晶體管的源極端子操作性地連接，而所述第一輔助異質(zhì)結(jié)晶體管的第二附加端子與所述第二輔助異質(zhì)結(jié)晶體管的漏極端子操作性地連接；以及所述異質(zhì)結(jié)功率器件還包括有源米勒鉗位器，該有源米勒鉗位器包括邏輯逆變器和用作下拉網(wǎng)絡(luò)的有源地開關(guān)的晶體管，并且其中，所述邏輯逆變器包括電阻器或電阻元件以及增強(qiáng)模式晶體管。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人劍橋氮化鎵器件有限公司，其通訊地址為：英國劍橋；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。