廈門乾照光電股份有限公司林志偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門乾照光電股份有限公司申請的專利一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112615257B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011557123.7，技術領域涉及：H01S5/183；該發明授權一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片是由林志偉;陳凱軒;童吉楚;謝昆江;徐楓設計研發完成，并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片在說明書摘要公布了：本發明提供了一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延結構包括：依次堆疊的襯底、緩沖層、N型DBR層、有源區、氧化層、P型DBR層及P型歐姆接觸層；所述N型DBR層和P型DBR層分別包括若干組交替生長的低折射率物質層和高折射率物質層，且所述低折射率物質層和所述高折射率物質層界面之間形成隧穿結，可以提高激光器內量子效應，有效提升激光器的性能。
本發明授權一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片在權利要求書中公布了：1.一種激光器外延結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底為導電襯底；沿第一方向依次堆疊在所述襯底表面的緩沖層、N型DBR層、有源區、氧化層、P型DBR層及P型歐姆接觸層；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述P型歐姆接觸層；所述N型DBR層和P型DBR層分別包括若干組交替生長的低折射率物質層和高折射率物質層，且所述低折射率物質層和所述高折射率物質層界面之間形成隧穿結；其中，所述低折射率物質層包括N型摻雜層，所述高折射率物質層包括P型摻雜層，所述隧穿結包括N型高摻層與P型高摻層的堆疊，且所述N型高摻層靠近所述N型摻雜層而設置，所述P型高摻層靠近所述P型摻雜層而設置，使所述N型摻雜層與P型摻雜層之間形成隧穿效應；且，所述N型DBR層沿所述第一方向的開始層和結束層均為N型摻雜；所述P型DBR層沿所述第一方向的開始層和結束層均為P型摻雜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門乾照光電股份有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市廈門火炬高新區(翔安)產業區翔天路259-269號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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