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龍圖騰網恭喜深圳市安健科技股份有限公司申請的專利一種雙能平板探測器結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114420713B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210097639.0，技術領域涉及：H10F39/12；該發明授權一種雙能平板探測器結構是由崔巍;鄭晗;王宗朋;何德毅設計研發完成，并于2022-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙能平板探測器結構在說明書摘要公布了：本發明涉及探測器技術領域，特別涉及一種雙能平板探測器結構，包括第光電傳感器陣列層，光電傳感器陣列層包括高能傳感器單元和低能傳感器單元，高能傳感器單元的感光區域結構為頂柵極不透明且底柵極透明的高能光敏晶體管，低能傳感器單元的感光區域結構為頂柵極透明且底柵極不透明的低能光敏晶體管，通過采用光敏晶體管進行感光，光敏晶體管與薄膜晶體管具有完全兼容的制程，并通過將高能光敏晶體管的源極與漏極之間的間距設計成大于高能薄膜晶體管的源極與漏極之間的間距，將低能光敏晶體管的源極與漏極之間的間距設計成大于低能薄膜晶體管的源極與漏極之間的間距，這樣可以增加感光區域的感光性能，提高感光面積，從而能夠提高像素分辨率。

本發明授權一種雙能平板探測器結構在權利要求書中公布了：1.一種雙能平板探測器結構，包括第一閃爍體層，所述第一閃爍體層的一側面上依次層疊覆蓋有射線濾過層、透明襯底、光電傳感器陣列層和第二閃爍體層，所述光電傳感器陣列層包括呈交替分布的高能傳感器單元和低能傳感器單元，其特征在于，所述高能傳感器單元的感光區域的結構為頂柵極不透明且底柵極透明的高能光敏晶體管，所述低能傳感器單元的感光區域的結構為頂柵極透明且底柵極不透明的低能光敏晶體管，所述高能傳感器單元的開關區域的結構與低能傳感器單元的開關區域的結構均為薄膜晶體管，且分別為高能薄膜晶體管與低能薄膜晶體管，所述高能光敏晶體管的源極與漏極之間的間距大于高能薄膜晶體管的源極與漏極之間的間距，所述低能光敏晶體管的源極與漏極之間的間距大于低能薄膜晶體管的源極與漏極之間的間距。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市安健科技股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市高新技術產業園北區朗山路16號華瀚創新園A座3A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。