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龍圖騰網(wǎng)恭喜友達(dá)光電股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115050840B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210863617.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法是由范揚(yáng)順;李奎佑設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，半導(dǎo)體裝置包括基板、第一薄膜晶體管以及可變電阻式存儲器。第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一堆疊結(jié)構(gòu)、第二柵極、源極以及漏極。第一堆疊結(jié)構(gòu)包括互相重疊的第一金屬氧化物層以及第二金屬氧化物層。第一堆疊結(jié)構(gòu)位于第一柵極與第二柵極之間。可變電阻式存儲器包括第一電極、第二堆疊結(jié)構(gòu)以及第二電極。第一電極電性連接第一柵極。第二堆疊結(jié)構(gòu)包括互相重疊的第三金屬氧化物層以及第四金屬氧化物層。第二堆疊結(jié)構(gòu)位于第一電極與第二電極之間，且連接第一電極與第二電極。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：一基板；一第一薄膜晶體管，設(shè)置于該基板之上，且包括：一第一柵極；一第一堆疊結(jié)構(gòu)，包括互相重疊的一第一金屬氧化物層以及一第二金屬氧化物層；一第二柵極，其中該第一堆疊結(jié)構(gòu)位于該第一柵極與該第二柵極之間；以及一源極以及一漏極，電性連接該第一堆疊結(jié)構(gòu)；以及一可變電阻式存儲器，設(shè)置于該基板之上，且包括：一第一電極，電性連接該第一柵極；一第二堆疊結(jié)構(gòu)，包括互相重疊的一第三金屬氧化物層以及一第四金屬氧化物層；以及一第二電極，其中該第二堆疊結(jié)構(gòu)位于該第一電極與該第二電極之間，且該第二堆疊結(jié)構(gòu)連接該第一電極與該第二電極，其中該第二電極與該第四金屬氧化物層之間具有肖特基接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人友達(dá)光電股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。