恭喜深圳市諾斯特新材料有限公司鄧江波獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜深圳市諾斯特新材料有限公司申請的專利PCB導電膜生成工藝及PCB導電膜生成設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119767545B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-09發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510259361.6,技術領域涉及:H05K3/00;該發明授權PCB導電膜生成工藝及PCB導電膜生成設備是由鄧江波設計研發完成,并于2025-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本PCB導電膜生成工藝及PCB導電膜生成設備在說明書摘要公布了:本發明提供一種PCB導電膜生成工藝及PCB導電膜生成設備。PCB導電膜生成工藝依次對PCB進行以下步驟的處理:兩面粗化、整孔、氧化及催化。整孔、氧化及催化中的至少一個步驟中,包括使PCB通過容納有處理液的處理槽后送出,處理槽包括處理區域和輸出區域,處理區域與輸出區域之間設置有液位控制機構;液位控制機構包括活動輥和定位輥;通過平移活動輥,改變活動輥與定位輥之間間隙大小即可調節通道的尺寸,可以改變定位輥上方的處理液流量,從而實時彌補定位輥下方由于PCB通行帶來的流量變化,以將處理區域的液位控制在第一閾值和第二閾值之間,有效避免處理區域的液位過低或過高,保證處理效果的同時,避免浪費,降低生產成本。
本發明授權PCB導電膜生成工藝及PCB導電膜生成設備在權利要求書中公布了:1.一種PCB導電膜生成工藝,其特征在于,依次對PCB進行以下步驟的處理:a、兩面粗化;b、整孔,通過超聲波貫通潤濕PCB的孔壁以整理孔壁電荷提高氧化吸附;c、氧化,以在PCB上沉積所需氧化層;以及,d、催化,以在所述氧化層上形成聚合導電層;其中,在步驟b、步驟c及步驟d中的至少一個步驟中,包括使PCB通過容納有處理液的處理槽后送出,所述處理槽包括處理區域和輸出區域,所述處理液在所述處理區域處注入并從所述輸出區域流出;所述處理區域與所述輸出區域之間設置有液位控制機構;所述PCB在所述處理區域進行浸泡后經所述液位控制機構的下方由所述輸出區域送出;所述液位控制機構包括沿PCB輸送方向排布的活動輥和定位輥;所述定位輥定位于所述處理槽中,所述活動輥間隔設置于所述定位輥的斜上方,所述活動輥與所述定位輥之間形成供處理液從所述處理區域流向所述輸出區域的可調節通道,所述活動輥沿PCB輸送方向水平活動設置;當所述處理區域的液位低于第一閾值時,所述第一閾值高于所述定位輥的頂部,所述活動輥靠近所述定位輥平移,以縮小所述可調節通道尺寸,降低所述處理液在所述可調節通道的流量,從而提高處理區域的液位;當所述處理區域的液位高于第二閾值時,所述第二閾值等于或低于所述活動輥的頂部,所述第二閾值高于所述第一閾值,所述活動輥遠離所述定位輥平移,以增大可調節通道尺寸,提高處理液在所述可調節通道的流量,從而降低所述處理區域的液位。
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