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龍圖騰網(wǎng)恭喜中科楚材(福建)科技有限公司申請的專利一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN118711729B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411194934.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G16C60/00；該發(fā)明授權(quán)一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)及方法是由楊水源設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-08-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)及方法，具體涉及耐電暈漆生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，包括生產(chǎn)數(shù)據(jù)劃分模塊、環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊、環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)分析模塊、耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊、耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)分析模塊、綜合分析模塊，以及預(yù)警模塊。本發(fā)明通過精細(xì)劃分生產(chǎn)數(shù)據(jù)，結(jié)合環(huán)保耐候性能和耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)的全面采集與分析，能夠準(zhǔn)確評估復(fù)合耐電暈漆的環(huán)境耐久性和抗污染效能，為產(chǎn)品質(zhì)量的提升提供了有力支持，本發(fā)明還具備預(yù)警功能，能夠及時發(fā)現(xiàn)潛在的生產(chǎn)問題，減少生產(chǎn)損失，確保產(chǎn)品的環(huán)保性和可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種抗形變環(huán)保型復(fù)合耐電暈漆生產(chǎn)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，其特征在于，包括：生產(chǎn)數(shù)據(jù)劃分模塊：用于將目標(biāo)復(fù)合耐電暈漆樣品的生產(chǎn)數(shù)據(jù)確定為目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域，通過生產(chǎn)批次劃分的方式將目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域劃分為各子數(shù)據(jù)區(qū)域，并依次標(biāo)記為1、2……n；環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊：用于采集各子數(shù)據(jù)區(qū)域的耐候老化數(shù)據(jù)、抗污染數(shù)據(jù)以及環(huán)保排放數(shù)據(jù)，并將采集到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)江h(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)分析模塊；所述耐候老化數(shù)據(jù)包括紫外線輻照劑量、熱重量殘留率、降解熱釋放速率，以及可回收再生比率，分別標(biāo)記為Wu、Wg、Wd，以及Wr，抗污染數(shù)據(jù)包括氧化電位掃描率、酸雨腐蝕深度、重金屬離子吸附量，以及有機(jī)污染物捕獲率，分別標(biāo)記為Ao、Ar、Ac，以及Ap，環(huán)保排放數(shù)據(jù)包括揮發(fā)性有機(jī)物排放濃度、非甲烷總烴排放量、顆粒物PM2.5排放量，以及溫室氣體當(dāng)量排放，分別標(biāo)記為Ev、Eh、Ep，以及Eg；環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)分析模塊：包括耐候老化數(shù)據(jù)分析單元、抗污染數(shù)據(jù)分析單元以及環(huán)保排放數(shù)據(jù)分析單元，用于對環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)分析，并將分析結(jié)果傳輸?shù)骄C合分析模塊；所述耐候老化數(shù)據(jù)分析單元用于建立耐候老化數(shù)據(jù)分析模型，將環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)哪秃蚶匣瘮?shù)據(jù)導(dǎo)入耐候老化數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境耐久性評估值，具體表示為：，RWi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境耐久性評估值，Wui表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的紫外線輻照劑量，Wgi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的熱重量殘留率，Wdi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的降解熱釋放速率，Wri表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的可回收再生比率；所述抗污染數(shù)據(jù)分析單元用于建立抗污染數(shù)據(jù)分析模型，將環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)目刮廴緮?shù)據(jù)導(dǎo)入抗污染數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的抗污染效能值，具體表示為：，RAi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的抗污染效能值，Aoi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的氧化電位掃描率，Ari表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的酸雨腐蝕深度，Aci表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的重金屬離子吸附量，Api表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的有機(jī)污染物捕獲率，Acmax表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最大重金屬離子吸附量，Acmin表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最小重金屬離子吸附量；所述環(huán)保排放數(shù)據(jù)分析單元用于建立環(huán)保排放數(shù)據(jù)分析模型，將環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)沫h(huán)保排放數(shù)據(jù)導(dǎo)入環(huán)保排放數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境負(fù)荷評估值，具體表示為：，REi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境負(fù)荷評估值，Evi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的揮發(fā)性有機(jī)物排放濃度，Ehi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的非甲烷總烴排放量，Epi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的顆粒物PM2.5排放量，Egi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的溫室氣體當(dāng)量排放，Egmax表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最大溫室氣體當(dāng)量排放；所述環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)分析模塊通過第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境耐久性評估值、第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的抗污染效能值以及第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的環(huán)境負(fù)荷評估值計(jì)算出第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的綜合環(huán)保耐候性能評估值，具體表示為：，σi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的綜合環(huán)保耐候性能評估值，μ1表示綜合環(huán)保耐候性能評估值的其他影響因子；耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊：用于采集各子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)、外加電場屏蔽數(shù)據(jù)以及耐電暈老化數(shù)據(jù)，并將采集到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)侥碗姇灧雷o(hù)性能數(shù)據(jù)分析模塊；所述電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)包括絕緣體電暈起痕電壓、電暈放射頻譜峰值頻率、電荷擴(kuò)散遷移系數(shù)，以及絕緣體電暈蝕斑面積，分別標(biāo)記為Sf、Sh、Sd，以及Sm，外加電場屏蔽數(shù)據(jù)包括電場擾動衰減常數(shù)、電離子流動離子率、電場集中度，以及屏蔽層介電損耗因子，分別標(biāo)記為Fd、Fl、Fe，以及Fs，耐電暈老化數(shù)據(jù)包括電痕垂直擴(kuò)展速率、電暈放電電離電流、電暈蝕坑最大深度，以及電暈腐蝕體積損耗率，分別標(biāo)記為Vg、Vc、Vd，以及Vl；耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)分析模塊：包括電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)分析單元、外加電場屏蔽數(shù)據(jù)分析單元以及耐電暈老化數(shù)據(jù)分析單元，用于對耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)分析，并將分析結(jié)果傳輸?shù)骄C合分析模塊；所述電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)分析單元用于建立電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)分析模型，將耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)碾姇炑孛娼^緣數(shù)據(jù)導(dǎo)入電暈沿面絕緣數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈絕緣評估值，具體表示為：，CSi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈絕緣評估值，Sfi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的絕緣體電暈起痕電壓，Shi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈放射頻譜峰值頻率，Sdi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電荷擴(kuò)散遷移系數(shù)，Smi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的絕緣體電暈蝕斑面積，Shmax表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最大電暈放射頻譜峰值頻率；所述外加電場屏蔽數(shù)據(jù)分析單元用于建立外加電場屏蔽數(shù)據(jù)分析模型，將耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)耐饧与妶銎帘螖?shù)據(jù)導(dǎo)入外加電場屏蔽數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的電場屏蔽效能值，具體表示為：，CFi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電場屏蔽效能值，F(xiàn)di表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電場擾動衰減常數(shù)，F(xiàn)li表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電離子流動離子率，F(xiàn)ei表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電場集中度，F(xiàn)si表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的屏蔽層介電損耗因子，F(xiàn)lmax表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最大電離子流動離子率，F(xiàn)lmin表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的最小電離子流動離子率；所述耐電暈老化數(shù)據(jù)分析單元用于建立耐電暈老化數(shù)據(jù)分析模型，將耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)采集模塊傳輸?shù)哪碗姇灷匣瘮?shù)據(jù)導(dǎo)入耐電暈老化數(shù)據(jù)分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈退化評估值，具體表示為：，CVi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈退化評估值，Vgi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電痕垂直擴(kuò)展速率，Vci表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈放電電離電流，Vdi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈蝕坑最大深度，Vli表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈腐蝕體積損耗率，Vdmax表示目標(biāo)數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈蝕坑最大深度；所述耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)分析模塊通過第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈絕緣評估值、第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電場屏蔽效能值以及第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的電暈退化評估值計(jì)算出第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的耐電暈防護(hù)性能評估值，具體表示為：，τi表示第i個子數(shù)據(jù)區(qū)域的耐電暈防護(hù)性能評估值，μ2表示耐電暈防護(hù)性能評估值的其他影響因子；綜合分析模塊：用于建立綜合分析模型，將環(huán)保耐候性能數(shù)據(jù)分析模塊與耐電暈防護(hù)性能數(shù)據(jù)分析模塊傳輸?shù)臄?shù)據(jù)導(dǎo)入綜合分析模型，計(jì)算出各子數(shù)據(jù)區(qū)域的綜合優(yōu)化指數(shù)，并傳輸?shù)筋A(yù)警模塊；預(yù)警模塊：用于建立綜合優(yōu)化指數(shù)預(yù)設(shè)值，并根據(jù)綜合優(yōu)化指數(shù)預(yù)設(shè)值對各子數(shù)據(jù)區(qū)域的綜合優(yōu)化指數(shù)進(jìn)行判斷，并根據(jù)判斷結(jié)果發(fā)出預(yù)警信號。

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