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龍圖騰網(wǎng)恭喜西湖煙山科技(杭州)有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119744042B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510229093.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/01；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底；在襯底的一側(cè)形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并對第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層遠離襯底一側(cè)的表面進行圖案化處理，形成三維結(jié)構(gòu)陣列；對第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的表面進行等離子體活化處理；在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層遠離襯底的一側(cè)形成有源層；有源層的材料中包括In，在形成有源層的過程中，有源層的形成環(huán)境的溫度大于或等于第一預(yù)設(shè)溫度值，且壓強大于或等于第一壓強預(yù)設(shè)值；在有源層遠離襯底的一側(cè)形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，提升了In的摻雜效率，改善了有源層的晶體質(zhì)量，降低了有源層內(nèi)部應(yīng)力，并提升了高In組分的有源層的發(fā)光效率。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底；在所述襯底的一側(cè)形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并對所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層遠離所述襯底一側(cè)的表面進行圖案化處理，形成三維結(jié)構(gòu)陣列；對所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有所述三維結(jié)構(gòu)陣列的表面進行等離子體活化處理；在等離子體活化處理后的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層遠離襯底的一側(cè)形成有源層；其中，所述有源層的材料中包括In；在形成所述有源層的過程中，所述有源層的形成環(huán)境的溫度大于或等于第一預(yù)設(shè)溫度值，且所述有源層的形成環(huán)境的壓強大于或等于第一壓強預(yù)設(shè)值；所述有源層的形成環(huán)境的壓強范圍為50000pa~110000pa；在所述有源層遠離所述襯底的一側(cè)形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。

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