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龍圖騰網獲悉西湖煙山科技(杭州)有限公司申請的專利一種半導體外延結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119744042B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-02發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510229093.3，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種半導體外延結構及其制備方法是由請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名;請求不公布姓名設計研發完成，并于2025-02-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體外延結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體外延結構及其制備方法，半導體外延結構的制備方法包括：提供襯底；在襯底的一側形成第一導電類型半導體層，并對第一導電類型半導體層遠離襯底一側的表面進行圖案化處理，形成三維結構陣列；對第一導電類型半導體層的表面進行等離子體活化處理；在第一導電類型半導體層遠離襯底的一側形成有源層；有源層的材料中包括In，在形成有源層的過程中，有源層的形成環境的溫度大于或等于第一預設溫度值，且壓強大于或等于第一壓強預設值；在有源層遠離襯底的一側形成第二導電類型半導體層。本發明提供的技術方案，提升了In的摻雜效率，改善了有源層的晶體質量，降低了有源層內部應力，并提升了高In組分的有源層的發光效率。

本發明授權一種半導體外延結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體外延結構的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底；在所述襯底的一側形成第一導電類型半導體層，并對所述第一導電類型半導體層遠離所述襯底一側的表面進行圖案化處理，形成三維結構陣列；對所述第一導電類型半導體層具有所述三維結構陣列的表面進行等離子體活化處理；在等離子體活化處理后的第一導電類型半導體層遠離襯底的一側形成有源層；其中，所述有源層的材料中包括In；在形成所述有源層的過程中，所述有源層的形成環境的溫度大于或等于第一預設溫度值，且所述有源層的形成環境的壓強大于或等于第一壓強預設值；所述有源層的形成環境的壓強范圍為50000pa~110000pa；在所述有源層遠離所述襯底的一側形成第二導電類型半導體層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西湖煙山科技(杭州)有限公司，其通訊地址為：310030 浙江省杭州市西湖區三墩鎮智強路428號云創鎵谷研發中心6號樓5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。