恭喜深圳市立洋光電子股份有限公司秦勝研獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市立洋光電子股份有限公司申請的專利多層VCSEL芯片的制備方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN119765018B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202510238795.8,技術領域涉及:H01S5/20;該發(fā)明授權多層VCSEL芯片的制備方法是由秦勝研;屈軍毅;何紹勇設計研發(fā)完成,并于2025-03-03向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本多層VCSEL芯片的制備方法在說明書摘要公布了:本申請公開了多層VCSEL芯片的制備方法,制備方法包括:對單晶硅基底進行電子束光刻處理,得到具有預定納米圖案化結構的基底;向基底表面通入氨基硅烷氣體源,得到覆蓋有單分子層的基底;對覆蓋有單分子層的基底依次沉積鋁氧化物材料和氮化硅材料,得到高反射率的光子晶體層;基于激光脈沖技術將半導體材料蒸發(fā)并凝結到光子晶體層上,形成具有預定厚度的量子阱層;在氮氣環(huán)境下,將量子阱層中的材料原子按照預定的晶格排列進行重組,得到優(yōu)化量子阱層;對優(yōu)化量子阱層上沉積金屬電極形成電接觸層,得到多層VCSEL芯片。本申請?zhí)嵘薞CSEL芯片的性能和生產(chǎn)可控性,解決了現(xiàn)有技術中存在的晶體缺陷、表面粗糙度和應力不匹配等問題,具有顯著的技術優(yōu)勢。
本發(fā)明授權多層VCSEL芯片的制備方法在權利要求書中公布了:1.一種多層VCSEL芯片的制備方法,其特征在于,包括:對單晶硅基底進行電子束光刻處理,得到具有預定納米圖案化結構的基底;向所述基底表面通入氨基硅烷氣體源,以使所述基底與所述氨基硅烷氣體源相互反應,得到覆蓋有單分子層的基底;對覆蓋有單分子層的基底依次沉積鋁氧化物材料和氮化硅材料,得到高反射率的光子晶體層;基于激光脈沖技術將半導體材料蒸發(fā)并凝結到所述光子晶體層上,形成具有預定厚度的量子阱層,具體包括:對所述光子晶體層進行激光脈沖參數(shù)的優(yōu)化計算,得到計算后的脈沖參數(shù),其中,所述脈沖參數(shù)包括脈沖能量、頻率和激光波長;根據(jù)所述脈沖參數(shù)獲取調(diào)節(jié)激光源的輸出功率和脈沖頻率,得到激光脈沖流的參數(shù)設置,并基于所述參數(shù)設置調(diào)節(jié)所述激光脈沖流;將調(diào)節(jié)后的所述激光脈沖流照射到所述光子晶體層的表面,基于激光脈沖技術將所述半導體材料通過瞬時加熱蒸發(fā)并在基底表面迅速凝結,形成初步量子阱層;基于預設厚度控制激光脈沖的照射次數(shù)和單次脈沖的能量,以使所述初步量子阱層的厚度在多個脈沖迭代沉積過程中逐漸增厚并重結晶,形成具有預定厚度的量子阱層;在氮氣環(huán)境下,將所述量子阱層中的材料原子按照預定的晶格排列進行重組,得到優(yōu)化量子阱層,具體包括:對量子阱層的晶體結構進行表征,獲取量子阱層中潛在的晶格缺陷及應力分布,得到量子阱層的缺陷數(shù)據(jù)和晶格參數(shù);基于所述缺陷數(shù)據(jù)和晶格參數(shù)對量子阱層的晶格排列進行模擬,得到所述量子阱層的晶格重組算法,所述晶格重組算法用于指導調(diào)整量子阱層的原子排列,使其達到優(yōu)化狀態(tài),模擬的作用在于預見不同的晶格排列對材料性能的影響,通過模擬預測在不同條件下晶格的變化趨勢,進而確定一個最優(yōu)的重組策略;將所述量子阱層置于氮氣環(huán)境中,基于所述晶格重組算法控制氮氣分壓和溫度,得到初級量子阱層;基于快速離子束技術對所述初級量子阱層進行離子束注入以優(yōu)化所述初級量子阱層的晶格排列,得到中級量子阱層;對所述中級量子阱層進行二次表征,得到優(yōu)化量子阱層;對所述優(yōu)化量子阱層沉積金屬電極形成電接觸層,得到所述多層VCSEL芯片。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >深圳市立洋光電子股份有限公司,其通訊地址為:518000 廣東省深圳市石巖街道龍騰社區(qū)石環(huán)路202號創(chuàng)富科技園B棟廠房四層-五層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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