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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市立洋光電子股份有限公司申請的專利多層VCSEL芯片的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119765018B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510238795.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/20；該發(fā)明授權(quán)多層VCSEL芯片的制備方法是由秦勝研;屈軍毅;何紹勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本多層VCSEL芯片的制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了多層VCSEL芯片的制備方法，制備方法包括：對單晶硅基底進(jìn)行電子束光刻處理，得到具有預(yù)定納米圖案化結(jié)構(gòu)的基底；向基底表面通入氨基硅烷氣體源，得到覆蓋有單分子層的基底；對覆蓋有單分子層的基底依次沉積鋁氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶體層；基于激光脈沖技術(shù)將半導(dǎo)體材料蒸發(fā)并凝結(jié)到光子晶體層上，形成具有預(yù)定厚度的量子阱層；在氮?dú)猸h(huán)境下，將量子阱層中的材料原子按照預(yù)定的晶格排列進(jìn)行重組，得到優(yōu)化量子阱層；對優(yōu)化量子阱層上沉積金屬電極形成電接觸層，得到多層VCSEL芯片。本申請?zhí)嵘薞CSEL芯片的性能和生產(chǎn)可控性，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的晶體缺陷、表面粗糙度和應(yīng)力不匹配等問題，具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。

本發(fā)明授權(quán)多層VCSEL芯片的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多層VCSEL芯片的制備方法，其特征在于，包括：對單晶硅基底進(jìn)行電子束光刻處理，得到具有預(yù)定納米圖案化結(jié)構(gòu)的基底；向所述基底表面通入氨基硅烷氣體源，以使所述基底與所述氨基硅烷氣體源相互反應(yīng)，得到覆蓋有單分子層的基底；對覆蓋有單分子層的基底依次沉積鋁氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶體層；基于激光脈沖技術(shù)將半導(dǎo)體材料蒸發(fā)并凝結(jié)到所述光子晶體層上，形成具有預(yù)定厚度的量子阱層，具體包括：對所述光子晶體層進(jìn)行激光脈沖參數(shù)的優(yōu)化計(jì)算，得到計(jì)算后的脈沖參數(shù)，其中，所述脈沖參數(shù)包括脈沖能量、頻率和激光波長；根據(jù)所述脈沖參數(shù)獲取調(diào)節(jié)激光源的輸出功率和脈沖頻率，得到激光脈沖流的參數(shù)設(shè)置，并基于所述參數(shù)設(shè)置調(diào)節(jié)所述激光脈沖流；將調(diào)節(jié)后的所述激光脈沖流照射到所述光子晶體層的表面，基于激光脈沖技術(shù)將所述半導(dǎo)體材料通過瞬時(shí)加熱蒸發(fā)并在基底表面迅速凝結(jié)，形成初步量子阱層；基于預(yù)設(shè)厚度控制激光脈沖的照射次數(shù)和單次脈沖的能量，以使所述初步量子阱層的厚度在多個(gè)脈沖迭代沉積過程中逐漸增厚并重結(jié)晶，形成具有預(yù)定厚度的量子阱層；在氮?dú)猸h(huán)境下，將所述量子阱層中的材料原子按照預(yù)定的晶格排列進(jìn)行重組，得到優(yōu)化量子阱層，具體包括：對量子阱層的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，獲取量子阱層中潛在的晶格缺陷及應(yīng)力分布，得到量子阱層的缺陷數(shù)據(jù)和晶格參數(shù)；基于所述缺陷數(shù)據(jù)和晶格參數(shù)對量子阱層的晶格排列進(jìn)行模擬，得到所述量子阱層的晶格重組算法，所述晶格重組算法用于指導(dǎo)調(diào)整量子阱層的原子排列，使其達(dá)到優(yōu)化狀態(tài)，模擬的作用在于預(yù)見不同的晶格排列對材料性能的影響，通過模擬預(yù)測在不同條件下晶格的變化趨勢，進(jìn)而確定一個(gè)最優(yōu)的重組策略；將所述量子阱層置于氮?dú)猸h(huán)境中，基于所述晶格重組算法控制氮?dú)夥謮汉蜏囟龋玫匠跫壛孔于鍖?；基于快速離子束技術(shù)對所述初級量子阱層進(jìn)行離子束注入以優(yōu)化所述初級量子阱層的晶格排列，得到中級量子阱層；對所述中級量子阱層進(jìn)行二次表征，得到優(yōu)化量子阱層；對所述優(yōu)化量子阱層沉積金屬電極形成電接觸層，得到所述多層VCSEL芯片。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人深圳市立洋光電子股份有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市石巖街道龍騰社區(qū)石環(huán)路202號創(chuàng)富科技園B棟廠房四層-五層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。