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龍圖騰網(wǎng)恭喜內(nèi)蒙古顯鴻科技股份有限公司申請(qǐng)的專利低功耗的電源管理電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111367351B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010196965.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G05F3/26；該發(fā)明授權(quán)低功耗的電源管理電路是由黃志勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-03-19向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本低功耗的電源管理電路在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種低功耗的電源管理電路,包括：基準(zhǔn)電路、比較器、時(shí)鐘產(chǎn)生電路、電源采集傳感器、開(kāi)關(guān)電路、被充電模塊；其中，所述基準(zhǔn)電路的一端、電源采集傳感器的一端分別與所述比較器的一端連接，所述比較器的另一端與所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路的一端連接，所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路的另一端與所述開(kāi)關(guān)電路的控制端連接，所述電源采集傳感器的一端還與所述開(kāi)關(guān)電路的一端連接，所述開(kāi)關(guān)電路的另一端與所述被充電模塊連接。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明降低電源管理電路的功耗。

本發(fā)明授權(quán)低功耗的電源管理電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低功耗的電源管理電路,其特征在于，包括：基準(zhǔn)電路、比較器、時(shí)鐘產(chǎn)生電路、電源采集傳感器、開(kāi)關(guān)電路、被充電模塊；其中，所述基準(zhǔn)電路的一端、電源采集傳感器的一端分別與所述比較器的一端連接，所述比較器的另一端與所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路的一端連接，所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路的另一端與所述開(kāi)關(guān)電路的控制端連接，所述電源采集傳感器的一端還與所述開(kāi)關(guān)電路的一端連接，所述開(kāi)關(guān)電路的另一端與所述被充電模塊連接；所述電源采集傳感器用于采集并累積電荷信號(hào)，所述比較器用于比較所述電源采集傳感器的電壓，以及所述基準(zhǔn)電路的電壓；當(dāng)所述電源采集傳感器的電壓超過(guò)第一參考電壓的信號(hào)時(shí)，所述比較器打開(kāi)所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路，控制所述開(kāi)關(guān)電路閉合，從而將所述電源采集傳感器上的電荷對(duì)所述被充電模塊充電；所述開(kāi)關(guān)電路閉合后，所述電源采集傳感器的電荷下降，當(dāng)所述比較器檢測(cè)到所述電源采集傳感器的電壓低于第二參考電壓的信號(hào)時(shí)，所述開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi)，所述電源采集傳感器的電荷繼續(xù)累積，若所述比較器檢測(cè)的電壓仍高于所述第二參考電壓，而所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路的時(shí)鐘信號(hào)變?yōu)榈碗娖剑瑒t所述開(kāi)關(guān)電路依然斷開(kāi)；所述基準(zhǔn)電路包括：PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、電阻R3、電阻R1、電阻R5、三極管P1、三極管P2、PMOS管M6、PMOS管M9、NMOS管M5、NMOS管M8、三極管P3、PMOS管M0和電阻R2；其中，PMOS管M1和PMOS管M2組成電流鏡，PMOS管M1和PMOS管M2的源極連接電源，PMOS管M1和PMOS管M2的柵極連接在PMOS管M2的漏極，PMOS管M2的漏極連接PMOS管M4的源極，PMOS管M1的漏極連接NMOS管M3的源極，NMOS管M4的漏極分別連接電阻R5的一端以及電阻R1的一端，NMOS管M3的漏極分別連接電阻R3的一端和三極管P1的發(fā)射極，電阻R1的另外一端連接三極管P2的發(fā)射極；三極管P1、三極管P2的基極和集電極短接連接到地線，電阻R3的另外一端、電阻R5的另外一端連接到地線；三極管P3的集電極和基極短接連接到地線，三極管P3的發(fā)射極連接NMOS管M5的源極，NMOS管M5的柵極和漏極短接連接PMOSM6的漏極，PMOSM6的源極連接電源，PMOSM6的柵極分別連接PMOS管M1、PMOS管M2的柵極；NMOS管M5的漏極分別連接PMOS管M9、NMOS管M8的柵極；PMOS管M9、NMOS管M8的源極分別連接電源和地線，PMOS管M9和NMOS管M8的漏極連接；PMOS管M0的柵極和PMOS管M1、PMOS管M2的柵極連接，PMOS管M0的源極連接電源，PMOS管M0的漏極連接電阻R2的一端、所述比較器的一端，電阻R2的另外一端連接地線；所述時(shí)鐘產(chǎn)生電路包括：反相器I1、反相器I2、反相器I11、反相器I12、反相器I5、反相器I6、反相器I7、反相器I8；其中，所述反相器I1、反相器I2、反相器I11、反相器I12構(gòu)成震蕩環(huán)路，所述反相器I1的輸出端分別連接所述反相器I2的輸入端、反相器I6的輸入端、反相器I5的輸出端，所述反相器I2的輸出端分別連接所述I7的輸出端、所述反相器I11的輸入端、所述反相器I8的輸入端，所述反相器I11的輸出端分別連接所述反相器I12的輸入端、反相器I5的輸入端、反相器I6的輸出端，所述反相器I12的輸出端分別連接所述反相器I1的輸入端、反相器I7的輸入端、反相器I8的輸出端。

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