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龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利凹入式半導體裝置以及相關聯系統和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115377088B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210446838.8，技術領域涉及：H10B80/00；該發明授權凹入式半導體裝置以及相關聯系統和方法是由A·M·貝利斯;B·P·沃茲設計研發完成，并于2022-04-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本凹入式半導體裝置以及相關聯系統和方法在說明書摘要公布了：本公開涉及凹入式半導體裝置以及相關聯系統和方法。本文中公開在凹入式邊緣具有鍍敷結構的半導體裝置、由所述半導體裝置形成的半導體組合件以及相關聯系統和方法。在一個實施例中，半導體組合件包含第一半導體裝置和第二半導體裝置。所述第一半導體裝置可包含上表面和處于所述上表面上方的第一介電層，所述第二半導體裝置可包含下表面和處于所述下表面上方的第二介電層，且所述第一和第二介電層可接合以耦合所述第一和第二半導體裝置。所述第一和第二介電層可各自包含暴露所述相應上表面和下表面上的多個金屬結構的多個向內延伸的凹部，且所述上表面凹部和金屬結構可對應于所述下表面凹部和金屬結構。所述金屬結構可通過定位于所述凹部中的鍍敷結構被電耦合。

本發明授權凹入式半導體裝置以及相關聯系統和方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體組合件，其包括：第一半導體裝置，其包含：上表面，在所述上表面的第一橫向邊緣處包含多個第一金屬結構，和所述上表面上方的第一介電層，所述第一介電層包含從所述第一橫向邊緣向內延伸的多個第一凹部，所述多個第一凹部至少部分地暴露所述第一金屬結構；安裝于所述第一半導體裝置上的第二半導體裝置，所述第二半導體裝置包含：下表面，在所述下表面的第二橫向邊緣處包含多個第二金屬結構，其中每個第二金屬結構與所述第一半導體裝置的對應第一金屬結構對齊，和所述下表面上方的第二介電層，所述第二介電層包含從所述第二橫向邊緣向內延伸的多個第二凹部，所述多個第二凹部至少部分地暴露所述第二金屬結構，其中所述第二介電層接合到所述第一半導體裝置的所述第一介電層；和定位于所述第一和第二凹部內的多個鍍敷結構，其中每個鍍敷結構將所述第一半導體裝置的第一金屬結構電耦合到所述第二半導體裝置的對應第二金屬結構。

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