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龍圖騰網(wǎng)恭喜武漢帝爾激光科技股份有限公司;帝爾激光科技(無錫)有限公司申請的專利一種太陽能電池的前表面結(jié)及一種晶體硅電池的制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN117276396B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210661889.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種太陽能電池的前表面結(jié)及一種晶體硅電池的制作方法是由李志剛;朱凡;陸紅艷;張強(qiáng);朱勝鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種太陽能電池的前表面結(jié)及一種晶體硅電池的制作方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N前表面結(jié)的制作方法及一種晶體硅電池的制作方法，對晶體硅片表面進(jìn)行濕法處理后；在晶體硅表面印刷涂覆或沉積一層硼源后進(jìn)行激光摻雜，清洗硅片表面多余硼源和摻雜區(qū)的部分激光損傷；然后再利用后續(xù)工序中的高溫對激光摻雜區(qū)的激光損傷進(jìn)行修復(fù)，之后完成表面的氧化鋁鈍化和氮化硅鍍膜，最后印刷一層銀漿或銀鋁含量經(jīng)過配比調(diào)整的銀鋁漿并燒結(jié)，最終形成了具有優(yōu)質(zhì)鈍化、低金屬復(fù)合、低接觸電阻的前表面結(jié)結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，僅增加了印刷涂覆或沉積硼源和激光摻雜的工序，考慮到后續(xù)金屬化時(shí)可以省去激光開槽步驟，因此實(shí)際僅增加一道印刷涂覆或沉積硼源的工序，流程簡單，可輕松實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。

本發(fā)明授權(quán)一種太陽能電池的前表面結(jié)及一種晶體硅電池的制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種晶體硅電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：S1、對晶體硅片表面進(jìn)行濕法處理后；S2、在晶體硅正面印刷涂覆或沉積硼源；S3、對印刷涂覆或沉積的硼源進(jìn)行激光摻雜，將表面的硼摻入晶體硅中，形成的結(jié)深≥1μm；S4、對激光摻雜后的硅片進(jìn)行清洗，洗去多余的硼源和至少部分損傷；S5、在拋光的背表面，沉積隧穿氧化層和多晶硅層，利用擴(kuò)散的高溫，對激光摻雜產(chǎn)生的部分晶格缺陷進(jìn)行退火修復(fù)處理；S6、洗去表面的繞鍍層和氧化層后，在表面結(jié)構(gòu)上制備鈍化結(jié)構(gòu)層；S7、完成金屬化制作；S8、最后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)和氫鈍化處理；最終，激光摻雜硼源形成的前表面結(jié)表面摻雜濃度為1E+20cm-3～2E+21cm-3。

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