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龍圖騰網恭喜浙江賽晶電子有限公司申請的專利低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法及器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115472498B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211236026.7，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法及器件是由虞旭俊;賀鴻浩;王俊;蔣杰;金家斌;毛建軍;任亮設計研發完成，并于2022-10-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法及器件在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法及器件，屬于半導體器件制造領域。本發明采用LTOLowTemperatureOxidation低溫氧化工藝技術，超高純度氧氣攜源硅烷，于LTO氧化爐內低溫環境，在已形成溝槽的普通PIN二極管擴散片晶片表面形成致密的氧化物薄膜。再經過光刻和刻蝕工序后，進行精準的定向鈀擴散。從而獲得Vf正向壓降、Trr反向恢復時間等參數集中性很好的擴散基片，顯著提高擴散片上的芯片利用率，大幅度提升產品品質。而相比采用價格高昂的離子注入機，本發明大幅度降低成本的同時，可獲得與離子注入相對接近的參數品質。

本發明授權低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法及器件在權利要求書中公布了：1.一種低溫氧化掩蔽PN結定向形成鈀復合中心的方法，其特征在于，包括：S1、采用已形成PN結且完成刻蝕開槽的PIN二極管擴散片晶片為材料，完成所述刻蝕開槽后晶片表面形成芯片圖形結構，先以純氧攜帶硅烷形成第一氧化氛圍并進行500~800℃的低溫氧化，再以純氧形成第二氧化氛圍繼續進行500~800℃的干氧氧化，從而在晶片表面形成氧化物薄膜；S2、在帶有氧化物薄膜的晶片上通過勻膠光刻形成圖案化的掩膜，使每個芯片臺面中心露出氧化層刻蝕窗口，但芯片臺面在四周邊緣位置以及芯片臺面之間的溝槽處依然保留有環繞氧化層刻蝕窗口的掩膜；再對晶片進行氧化層刻蝕，去除各氧化層刻蝕窗口范圍內的氧化物薄膜，得到用于附著鈀源的附源窗口；S3、將鈀源涂布于晶片表面，然后通過燒結進行定向鈀擴散，使鈀雜質擴散進入晶片內部形成復合中心。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江賽晶電子有限公司，其通訊地址為：324199 浙江省衢州市江山市清湖街道毛糖路9-1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。