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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)的專利一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115598918B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211320582.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F1/00；該發(fā)明授權(quán)一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法是由李昊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-10-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提出了一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法，應(yīng)用于較小深寬比的溝槽。在本發(fā)明提供的BTO結(jié)構(gòu)的形成方法中，通過改善BTOmaskCell掩膜區(qū)圖形對(duì)圖形中所包括的曝光開口區(qū)的光刻膠進(jìn)行曝光、顯影形成并打開濕法刻蝕時(shí)的藥液入口，其他區(qū)域保留光刻膠，光刻膠連接成網(wǎng)絡(luò)狀，且均與大塊膠塊連接，可以最大限度增加光刻膠的支撐能力，防止飄膠風(fēng)險(xiǎn)的出現(xiàn)。之后采用濕法刻蝕工藝經(jīng)濕法刻蝕時(shí)的藥液入口去除溝槽內(nèi)壁預(yù)設(shè)高度的厚氧化層，還可以避免需要控制表面膠厚與溝槽內(nèi)曝光深度的精確控制導(dǎo)致的工藝難度與工藝適用性的下降。

本發(fā)明授權(quán)一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種BTO結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底的上表面為第一主面，下表面為第二主面，對(duì)所述第一主面進(jìn)行刻蝕，形成溝槽；形成厚氧化層與光刻膠層，所述厚氧化層覆蓋在所述溝槽內(nèi)壁及除溝槽外的半導(dǎo)體襯底表面上，并在所述厚氧化層的表面上涂布光刻膠，所述光刻膠至少填滿溝槽；提供掩膜圖形，所述掩膜圖形包括第一掩膜圖形、第二掩膜圖形、以及第三掩膜圖形，所述第一掩膜圖形包括形狀成網(wǎng)絡(luò)狀的光刻膠交聯(lián)區(qū)，所述第二掩膜圖形包括多個(gè)沿第一方向間隔排列且形狀為長方形的柵溝槽區(qū)，所述第三掩膜圖形包括多個(gè)沿第一方向且與所述第二掩膜圖形間隔排列的曝光開口區(qū)；對(duì)所述第三掩膜圖形中的曝光開口區(qū)進(jìn)行曝光、顯影形成并打開濕法刻蝕時(shí)的藥液入口；采用濕法刻蝕工藝去除所述除溝槽外的半導(dǎo)體襯底表面及溝槽內(nèi)壁上一定高度的厚氧化層；刻蝕去除所述溝槽內(nèi)的光刻膠，并在溝槽內(nèi)壁及除溝槽外的半導(dǎo)體襯底表面上成長出柵氧化層，形成MOSFET器件。

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