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龍圖騰網恭喜電子科技大學;電子科技大學重慶微電子產業技術研究院申請的專利一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116339433B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310556226.9，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源是由李澤宏;曾傳揚;汪鑫設計研發完成，并于2023-05-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源在說明書摘要公布了：本發明涉及一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源，屬于電子電路領域。該帶隙基準源包含啟動電路、帶隙核心電路。啟動電路用于電路上電時啟動，具有多次啟動功能；帶隙核心電路用于產生基準電壓。本發明通過在帶隙核心電路模塊中采用共源共柵電流鏡，提高了無運放結構電路的鏡像精度，并且通過采用無運放結構，極大降低了帶隙電路的整體低頻噪聲。

本發明授權一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源在權利要求書中公布了：1.一種高精度低噪聲無運放結構的帶隙基準源，其特征在于：包括啟動電路和帶隙核心電路；所述啟動電路包括第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十MOS管M10、第十一MOS管M11和第十二MOS管M12；所述M8、M9和M10的柵極互連并且連接到地AGND，其中M8的源極連接電源電壓AVDD，M8的漏極連接M9的源極；所述M9的漏極連接M10的源極；所述M10的漏極與M11的漏極和M12的柵極互連；所述M11的柵極連接電壓VREF，M11的源極連接地電壓AGND；所述M12的漏極連接電壓VBN2，M12的源極連接地電壓AGND；所述帶隙核心電路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七MOS管M7、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3和第四電阻R4；所述M1的柵極和M12的源極和Q4的集電極互連，M1的源極連接到地電壓AGND，M1的漏極和M12的柵極和M14的漏極互連；所述M2的漏極和M3的源極互連；所述M3的柵極和漏極互連；所述M4的源極連接電源電壓AVDD，M4的柵極和M5的柵極與M6的漏極互連，M4的漏極連接M6的源極；所述M5的源極連接電源電壓AVDD，M5的漏極連接M7的源極；所述M6的柵極和M7的柵極和M3的漏極互連；所述M7的漏極和M15的柵極和Q3集電極互連；所述M15的漏極連接電源電壓AVDD，M15的源極電壓連接R1和R3的上端；所述Q1的基極和Q4的基極連接R1的下端，即R2的上端，Q1的集電極連接Q2的基極，Q1的發射極連接地電位AGND；所述Q2的集電極連接R3的下端和Q3的基極，Q2的發射極連接地電位AGND；所述Q3的發射極連接地電位AGND。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學;電子科技大學重慶微電子產業技術研究院，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(西區)西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。