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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請(qǐng)的專利使用碳基膜空間選擇性灰化改善沉積引起的CD不平衡的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111512413B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201880077280.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)使用碳基膜空間選擇性灰化改善沉積引起的CD不平衡的方法是由伊?xí)r塔克·卡里姆;普爾凱特·阿加瓦爾;約瑟夫·R·阿貝爾;普魯肖塔姆·庫馬爾;阿德里安·拉沃伊設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-11-15向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本使用碳基膜空間選擇性灰化改善沉積引起的CD不平衡的方法在說明書摘要公布了：提供了一種用于利用碳基沉積物在晶片上形成特征的方法。對(duì)所述碳基沉積物進(jìn)行預(yù)調(diào)節(jié)，其中，所述預(yù)調(diào)節(jié)導(dǎo)致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除。通過原子層沉積工藝沉積氧化硅基材料的氧化物沉積物，其中所述沉積所述氧化物沉積物導(dǎo)致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除，其與通過所述預(yù)調(diào)節(jié)導(dǎo)致的所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除互補(bǔ)。

本發(fā)明授權(quán)使用碳基膜空間選擇性灰化改善沉積引起的CD不平衡的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于利用碳基沉積物在晶片上形成特征的方法，其包括：對(duì)所述碳基沉積物進(jìn)行預(yù)調(diào)節(jié)，其中，所述預(yù)調(diào)節(jié)導(dǎo)致所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除；以及通過原子層沉積工藝沉積氧化硅基材料的氧化物沉積物，其中所述沉積所述氧化物沉積物導(dǎo)致所述碳基沉積物中的另一些的不均勻去除，其與通過所述預(yù)調(diào)節(jié)導(dǎo)致的所述碳基沉積物中的一些的不均勻去除互補(bǔ)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。